![DMTH4007SPS-13 DMTH4007SPS-13](https://www.mouser.com/images/diodesinc/lrg/PowerDI5060-8_DSL.jpg)
DMTH4007SPS-13 Diodes Incorporated
на замовлення 2500 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
5+ | 80.4 грн |
10+ | 64.81 грн |
100+ | 43.88 грн |
500+ | 37.17 грн |
1000+ | 30.33 грн |
2500+ | 26.88 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис DMTH4007SPS-13 Diodes Incorporated
Category: SMD N channel transistors, Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 40V; 13.1A; Idm: 200A; 2.8W, Mounting: SMD, Kind of package: reel; tape, Case: PowerDI5060-8, Power dissipation: 2.8W, Polarisation: unipolar, Drain current: 13.1A, Kind of channel: enhanced, Drain-source voltage: 40V, Type of transistor: N-MOSFET, Gate-source voltage: ±20V, On-state resistance: 7.6mΩ, Pulsed drain current: 200A, Gate charge: 41.9nC, кількість в упаковці: 2500 шт.
Інші пропозиції DMTH4007SPS-13
Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна без ПДВ |
---|---|---|---|---|---|
DMTH4007SPS-13 | Виробник : DIODES INCORPORATED |
![]() Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 40V; 13.1A; Idm: 200A; 2.8W Mounting: SMD Kind of package: reel; tape Case: PowerDI5060-8 Power dissipation: 2.8W Polarisation: unipolar Drain current: 13.1A Kind of channel: enhanced Drain-source voltage: 40V Type of transistor: N-MOSFET Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 7.6mΩ Pulsed drain current: 200A Gate charge: 41.9nC кількість в упаковці: 2500 шт |
товар відсутній |
||
![]() |
DMTH4007SPS-13 | Виробник : Diodes Incorporated |
![]() |
товар відсутній |
|
![]() |
DMTH4007SPS-13 | Виробник : Diodes Incorporated |
![]() |
товар відсутній |
|
DMTH4007SPS-13 | Виробник : DIODES INCORPORATED |
![]() Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 40V; 13.1A; Idm: 200A; 2.8W Mounting: SMD Kind of package: reel; tape Case: PowerDI5060-8 Power dissipation: 2.8W Polarisation: unipolar Drain current: 13.1A Kind of channel: enhanced Drain-source voltage: 40V Type of transistor: N-MOSFET Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 7.6mΩ Pulsed drain current: 200A Gate charge: 41.9nC |
товар відсутній |