DMTH4007SPD-13

DMTH4007SPD-13 Diodes Incorporated


DMTH4007SPD.pdf Виробник: Diodes Incorporated
Description: MOSFET 2N-CH 40V 14.2A POWERDI50
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 2.6W
Drain to Source Voltage (Vdss): 40V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 14.2A
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2026pF @ 30V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 8.6mOhm @ 17A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 41.9nC @ 10V
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerDI5060-8
Part Status: Active
на замовлення 15000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
2500+37.73 грн
5000+ 34.6 грн
12500+ 33.01 грн
Мінімальне замовлення: 2500
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис DMTH4007SPD-13 Diodes Incorporated

Description: MOSFET 2N-CH 40V 14.2A POWERDI50, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: 8-PowerTDFN, Mounting Type: Surface Mount, Configuration: 2 N-Channel (Dual), Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), Power - Max: 2.6W, Drain to Source Voltage (Vdss): 40V, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 14.2A, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2026pF @ 30V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 8.6mOhm @ 17A, 10V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 41.9nC @ 10V, Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA, Supplier Device Package: PowerDI5060-8, Part Status: Active.

Інші пропозиції DMTH4007SPD-13 за ціною від 36.22 грн до 97.93 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна без ПДВ
DMTH4007SPD-13 DMTH4007SPD-13 Виробник : Diodes Incorporated DMTH4007SPD.pdf Description: MOSFET 2N-CH 40V 14.2A POWERDI50
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 2.6W
Drain to Source Voltage (Vdss): 40V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 14.2A
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2026pF @ 30V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 8.6mOhm @ 17A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 41.9nC @ 10V
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerDI5060-8
Part Status: Active
на замовлення 16768 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
4+90.8 грн
10+ 71.86 грн
100+ 55.89 грн
500+ 44.46 грн
1000+ 36.22 грн
Мінімальне замовлення: 4
DMTH4007SPD-13 DMTH4007SPD-13 Виробник : Diodes Incorporated DMTH4007SPD-3214900.pdf MOSFET 40V 175c N-Ch FET 8.6mOhm 10Vgs 45A
на замовлення 21773 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
4+97.93 грн
10+ 79.25 грн
100+ 53.96 грн
500+ 45.78 грн
1000+ 37.24 грн
2500+ 36.4 грн
Мінімальне замовлення: 4
DMTH4007SPD-13 Виробник : DIODES INCORPORATED DMTH4007SPD.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 40V; 11.9A; Idm: 90A; 2.6W
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Case: PowerDI5060-8
Power dissipation: 2.6W
Polarisation: unipolar
Drain current: 11.9A
Kind of channel: enhanced
Drain-source voltage: 40V
Type of transistor: N-MOSFET
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 8.6mΩ
Pulsed drain current: 90A
Gate charge: 41.9nC
кількість в упаковці: 2500 шт
товар відсутній
DMTH4007SPD-13 Виробник : DIODES INCORPORATED DMTH4007SPD.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 40V; 11.9A; Idm: 90A; 2.6W
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Case: PowerDI5060-8
Power dissipation: 2.6W
Polarisation: unipolar
Drain current: 11.9A
Kind of channel: enhanced
Drain-source voltage: 40V
Type of transistor: N-MOSFET
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 8.6mΩ
Pulsed drain current: 90A
Gate charge: 41.9nC
товар відсутній