Продукція > DIODES INCORPORATED > DMTH10H1M7STLWQ-13
DMTH10H1M7STLWQ-13

DMTH10H1M7STLWQ-13 Diodes Incorporated

DMTH10H1M7STLWQ.pdf Виробник: Diodes Incorporated
Description: MOSFET BVDSS: 61V~100V POWERDI10
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerSFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 250A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2mOhm @ 30A, 10V
Power Dissipation (Max): 6W (Ta), 250W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: POWERDI1012-8
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 147 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 9871 pF @ 50 V
на замовлення 42000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
1500+194.66 грн
3000+ 176.51 грн
Мінімальне замовлення: 1500
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис DMTH10H1M7STLWQ-13 Diodes Incorporated

Description: MOSFET BVDSS: 61V~100V POWERDI10, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: 8-PowerSFN, Mounting Type: Surface Mount, Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), FET Type: N-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 250A (Tc), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2mOhm @ 30A, 10V, Power Dissipation (Max): 6W (Ta), 250W (Tc), Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA, Supplier Device Package: POWERDI1012-8, Part Status: Active, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V, Vgs (Max): ±20V, Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 147 nC @ 10 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 9871 pF @ 50 V.

Інші пропозиції DMTH10H1M7STLWQ-13 за ціною від 181.69 грн до 409.03 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна без ПДВ
DMTH10H1M7STLWQ-13 DMTH10H1M7STLWQ-13 Виробник : Diodes Incorporated DMTH10H1M7STLWQ.pdf Description: MOSFET BVDSS: 61V~100V POWERDI10
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerSFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 250A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2mOhm @ 30A, 10V
Power Dissipation (Max): 6W (Ta), 250W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: POWERDI1012-8
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 147 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 9871 pF @ 50 V
на замовлення 43463 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
1+376.18 грн
10+ 304.44 грн
100+ 246.29 грн
500+ 205.45 грн
DMTH10H1M7STLWQ-13 Виробник : Diodes Incorporated DMTH10H1M7STLWQ.pdf MOSFET MOSFET BVDSS: 61V-100V PowerDI1012-8 T&R 1.5K
на замовлення 1475 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
1+409.03 грн
10+ 338.71 грн
25+ 278.21 грн
100+ 238.46 грн
250+ 224.98 грн
500+ 212.2 грн
1000+ 181.69 грн
DMTH10H1M7STLWQ-13 DMTH10H1M7STLWQ-13 Виробник : Diodes Inc dmth10h1m7stlwq.pdf Trans MOSFET N-CH 100V 250A Automotive AEC-Q101 T/R
товару немає в наявності
DMTH10H1M7STLWQ-13 Виробник : DIODES INCORPORATED DMTH10H1M7STLWQ.pdf DMTH10H1M7STLWQ-13 SMD N channel transistors
товару немає в наявності