Продукція > DIODES INC. > DMTH10H017LPD-13
DMTH10H017LPD-13

DMTH10H017LPD-13 DIODES INC.

DIOD-S-A0009691049-1.pdf?hkey=52A5661711E402568146F3353EA87419 Виробник: DIODES INC.
Description: DIODES INC. - DMTH10H017LPD-13 - Dual-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 100 V, 59 A, 59 A, 0.0137 ohm
tariffCode: 85412900
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 59A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 100V
usEccn: EAR99
Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 59A
Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 0.0137ohm
Verlustleistung, p-Kanal: 2.6W
Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 100V
euEccn: NLR
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.0137ohm
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Verlustleistung, n-Kanal: 2.6W
Betriebstemperatur, max.: 175°C
на замовлення 2458 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
100+57.09 грн
Мінімальне замовлення: 100
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис DMTH10H017LPD-13 DIODES INC.

Description: DIODES INC. - DMTH10H017LPD-13 - Dual-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 100 V, 59 A, 59 A, 0.0137 ohm, tariffCode: 85412900, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 59A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 100V, usEccn: EAR99, Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 59A, Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 0.0137ohm, Verlustleistung, p-Kanal: 2.6W, Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 100V, euEccn: NLR, Anzahl der Pins: 8Pin(s), Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.0137ohm, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Verlustleistung, n-Kanal: 2.6W, Betriebstemperatur, max.: 175°C.

Інші пропозиції DMTH10H017LPD-13 за ціною від 37.38 грн до 120.85 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна без ПДВ
DMTH10H017LPD-13 DMTH10H017LPD-13 Виробник : DIODES INC. DIOD-S-A0009691049-1.pdf?hkey=52A5661711E402568146F3353EA87419 Description: DIODES INC. - DMTH10H017LPD-13 - Dual-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 100 V, 59 A, 59 A, 0.0137 ohm
tariffCode: 85412900
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 59A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 100V
usEccn: EAR99
Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 59A
Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 0.0137ohm
Verlustleistung, p-Kanal: 2.6W
Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 100V
euEccn: NLR
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.0137ohm
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Verlustleistung, n-Kanal: 2.6W
Betriebstemperatur, max.: 175°C
на замовлення 2458 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
12+67.38 грн
14+ 57.09 грн
Мінімальне замовлення: 12
DMTH10H017LPD-13 DMTH10H017LPD-13 Виробник : Diodes Incorporated DIOD_S_A0009691049_1-2543332.pdf MOSFET MOSFET BVDSS: 61V~100V PowerDI5060-8 T&R 2.5K
на замовлення 1862 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
3+120.85 грн
10+ 90.34 грн
100+ 65.28 грн
500+ 59.58 грн
1000+ 50.19 грн
2500+ 42.55 грн
5000+ 41.85 грн
Мінімальне замовлення: 3
DMTH10H017LPD-13 Виробник : Diodes Incorporated DMTH10H017LPD.pdf Description: MOSFET 2N-CH 100V 59A POWERDI50
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 2.6W (Ta), 93W (Tc)
Drain to Source Voltage (Vdss): 100V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 59A (Tc)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1986pF @ 50V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 17.4mOhm @ 17A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 28.6nC @ 10V
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerDI5060-8 (Type E)
на замовлення 212500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
2500+41.54 грн
5000+ 38.1 грн
12500+ 37.38 грн
Мінімальне замовлення: 2500
DMTH10H017LPD-13 Виробник : Diodes Incorporated DMTH10H017LPD.pdf Description: MOSFET 2N-CH 100V 59A POWERDI50
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 2.6W (Ta), 93W (Tc)
Drain to Source Voltage (Vdss): 100V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 59A (Tc)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1986pF @ 50V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 17.4mOhm @ 17A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 28.6nC @ 10V
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerDI5060-8 (Type E)
на замовлення 214744 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
4+100.02 грн
10+ 79.15 грн
100+ 61.54 грн
500+ 48.95 грн
1000+ 39.88 грн
Мінімальне замовлення: 4
DMTH10H017LPD-13 Виробник : Diodes Inc dmth10h017lpd.pdf 100V 175 Degree C Dual N-Channel Enhancement Mode MOSFET
товар відсутній
DMTH10H017LPD-13 Виробник : DIODES INCORPORATED DMTH10H017LPD.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar
Mounting: SMD
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Kind of package: tape
Kind of channel: enhanced
кількість в упаковці: 1 шт
товар відсутній
DMTH10H017LPD-13 Виробник : DIODES INCORPORATED DMTH10H017LPD.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar
Mounting: SMD
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Kind of package: tape
Kind of channel: enhanced
товар відсутній