Продукція > DIODES INC. > DMTH10H009SPSQ-13
DMTH10H009SPSQ-13

DMTH10H009SPSQ-13 DIODES INC.

Виробник: DIODES INC.
Description: DIODES INC. - DMTH10H009SPSQ-13 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 14 A, 0.0067 ohm, PowerDI5060, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 14A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 1.6W
Bauform - Transistor: PowerDI5060
Anzahl der Pins: 8Pins
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0067ohm
SVHC: No SVHC (15-Jan-2018)
на замовлення 2500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
100+34.45 грн
500+ 31.1 грн
1000+ 28.64 грн
Мінімальне замовлення: 100
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис DMTH10H009SPSQ-13 DIODES INC.

Description: DIODES INC. - DMTH10H009SPSQ-13 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 14 A, 0.0067 ohm, PowerDI5060, Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 100V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 14A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: AEC-Q101, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 1.6W, Bauform - Transistor: PowerDI5060, Anzahl der Pins: 8Pins, Produktpalette: -, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Kanaltyp: n-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Betriebstemperatur, max.: 175°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0067ohm, SVHC: No SVHC (15-Jan-2018).

Інші пропозиції DMTH10H009SPSQ-13 за ціною від 28.64 грн до 70.44 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна без ПДВ
DMTH10H009SPSQ-13 DMTH10H009SPSQ-13 Виробник : DIODES INC. Description: DIODES INC. - DMTH10H009SPSQ-13 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 14 A, 0.0067 ohm, PowerDI5060, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 14A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 1.6W
Bauform - Transistor: PowerDI5060
Anzahl der Pins: 8Pins
Produktpalette: -
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0067ohm
SVHC: No SVHC (15-Jan-2018)
на замовлення 2500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
12+70.44 грн
17+ 47.5 грн
100+ 34.45 грн
500+ 31.1 грн
1000+ 28.64 грн
Мінімальне замовлення: 12
DMTH10H009SPSQ-13 Виробник : DIODES INCORPORATED Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 11A; Idm: 350A; 3.2W
Mounting: SMD
Case: PowerDI5060-8
Application: automotive industry
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 11A
On-state resistance: 8.9mΩ
Type of transistor: N-MOSFET
Power dissipation: 3.2W
Polarisation: unipolar
Kind of package: reel; tape
Gate charge: 30nC
Kind of channel: enhanced
Gate-source voltage: ±20V
Pulsed drain current: 350A
кількість в упаковці: 2500 шт
товар відсутній
DMTH10H009SPSQ-13 Виробник : DIODES INCORPORATED Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 11A; Idm: 350A; 3.2W
Mounting: SMD
Case: PowerDI5060-8
Application: automotive industry
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 11A
On-state resistance: 8.9mΩ
Type of transistor: N-MOSFET
Power dissipation: 3.2W
Polarisation: unipolar
Kind of package: reel; tape
Gate charge: 30nC
Kind of channel: enhanced
Gate-source voltage: ±20V
Pulsed drain current: 350A
товар відсутній