DMTH10H003SPSW-13 Diodes Incorporated
Виробник: Diodes IncorporatedDescription: MOSFET BVDSS: 61V~100V POWERDI50
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 166A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3mOhm @ 30A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.6W (Ta), 167W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerDI5060-8 (Type Q)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 85 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 5542 pF @ 50 V
на замовлення 37500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 2500+ | 71.88 грн |
| 5000+ | 66.61 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис DMTH10H003SPSW-13 Diodes Incorporated
Description: DIODES INC. - DMTH10H003SPSW-13 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 166 A, 0.0022 ohm, PowerDI 5060, Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 100V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 166A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, usEccn: EAR99, Verlustleistung Pd: 2.6W, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.6V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 2.6W, Bauform - Transistor: PowerDI 5060, Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: -, Anzahl der Pins: 8Pins, Produktpalette: -, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Wandlerpolarität: n-Kanal, Kanaltyp: n-Kanal, Betriebswiderstand, Rds(on): 0.0022ohm, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Betriebstemperatur, max.: 175°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0022ohm, SVHC: No SVHC (15-Jan-2018).
Інші пропозиції DMTH10H003SPSW-13 за ціною від 66.07 грн до 176.36 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна без ПДВ | ||||||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 |
DMTH10H003SPSW-13 | Виробник : DIODES INC. |
Description: DIODES INC. - DMTH10H003SPSW-13 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 166 A, 0.0022 ohm, PowerDI 5060, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 100V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 166A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - usEccn: EAR99 Verlustleistung Pd: 2.6W Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.6V euEccn: NLR Verlustleistung: 2.6W Bauform - Transistor: PowerDI 5060 Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: - Anzahl der Pins: 8Pins Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code Wandlerpolarität: n-Kanal Kanaltyp: n-Kanal Betriebswiderstand, Rds(on): 0.0022ohm Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 175°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0022ohm SVHC: No SVHC (15-Jan-2018) |
на замовлення 4292 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
|
DMTH10H003SPSW-13 | Виробник : Diodes Incorporated |
Description: MOSFET BVDSS: 61V~100V POWERDI50 Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: 8-PowerTDFN Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 166A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3mOhm @ 30A, 10V Power Dissipation (Max): 2.6W (Ta), 167W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA Supplier Device Package: PowerDI5060-8 (Type Q) Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 85 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 5542 pF @ 50 V |
на замовлення 39891 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
|
DMTH10H003SPSW-13 | Виробник : DIODES INC. |
Description: DIODES INC. - DMTH10H003SPSW-13 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 166 A, 0.0022 ohm, PowerDI 5060, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 100V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 166A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.6V euEccn: NLR Verlustleistung: 2.6W Bauform - Transistor: PowerDI 5060 Anzahl der Pins: 8Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 175°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0022ohm SVHC: No SVHC (15-Jan-2018) |
на замовлення 4292 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
| DMTH10H003SPSW-13 | Виробник : Diodes Inc |
MOSFET BVDSS: 61V100V PowerDI5060-8 T&R 2.5K |
на замовлення 10000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
|||||||||||||||||
| DMTH10H003SPSW-13 | Виробник : Diodes Incorporated |
MOSFETs MOSFET BVDSS: 61V-100V PowerDI5060-8 T&R 2.5K |
на замовлення 3114 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
|||||||||||||||||
| DMTH10H003SPSW-13 | Виробник : DIODES INCORPORATED |
Category: SMD N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 117A; Idm: 664A; 2.6W Case: PowerDI5060-8 Mounting: SMD Power dissipation: 2.6W Drain-source voltage: 100V Drain current: 117A On-state resistance: 5mΩ Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Kind of package: reel; tape Gate charge: 85nC Kind of channel: enhanced Gate-source voltage: ±20V Pulsed drain current: 664A кількість в упаковці: 2500 шт |
товару немає в наявності |
||||||||||||||||||
| DMTH10H003SPSW-13 | Виробник : DIODES INCORPORATED |
Category: SMD N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 117A; Idm: 664A; 2.6W Case: PowerDI5060-8 Mounting: SMD Power dissipation: 2.6W Drain-source voltage: 100V Drain current: 117A On-state resistance: 5mΩ Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Kind of package: reel; tape Gate charge: 85nC Kind of channel: enhanced Gate-source voltage: ±20V Pulsed drain current: 664A |
товару немає в наявності |