на замовлення 4000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 2000+ | 25.67 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис DMT8012LFG-7 Diodes Inc
Description: MOSFET N-CH 80V PWRDI3333, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: 8-PowerVDFN, Mounting Type: Surface Mount, Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), FET Type: N-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 9.5A (Ta), 35A (Tc), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 16mOhm @ 12A, 10V, Power Dissipation (Max): 2.2W (Ta), 30W (Tc), Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA, Supplier Device Package: PowerDI3333-8, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V, Vgs (Max): ±20V, Drain to Source Voltage (Vdss): 80 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 34 nC @ 10 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1949 pF @ 40 V.
Інші пропозиції DMT8012LFG-7 за ціною від 23.55 грн до 69.37 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна без ПДВ | ||||||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 |
DMT8012LFG-7 | Виробник : Diodes Incorporated |
 Description: MOSFET N-CH 80V PWRDI3333Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: 8-PowerVDFN Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 9.5A (Ta), 35A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 16mOhm @ 12A, 10V Power Dissipation (Max): 2.2W (Ta), 30W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA Supplier Device Package: PowerDI3333-8 Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 80 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 34 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1949 pF @ 40 V |
на замовлення 34000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
|
DMT8012LFG-7 | Виробник : Diodes Incorporated |
Description: MOSFET N-CH 80V PWRDI3333 Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: 8-PowerVDFN Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 9.5A (Ta), 35A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 16mOhm @ 12A, 10V Power Dissipation (Max): 2.2W (Ta), 30W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA Supplier Device Package: PowerDI3333-8 Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 80 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 34 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1949 pF @ 40 V |
на замовлення 36930 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
 |
DMT8012LFG-7 | Виробник : Diodes Incorporated |
MOSFETs 80V N-Ch Enh FET 20Vgs 9.5A 1949pF |
на замовлення 6395 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
| DMT8012LFG-7 | Виробник : DIODES INCORPORATED |
Category: SMD N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 80V; 30A; 2.2W; PowerDI®3333-8 Drain-source voltage: 80V Drain current: 30A On-state resistance: 22mΩ Type of transistor: N-MOSFET Power dissipation: 2.2W Polarisation: unipolar Kind of package: reel; tape Kind of channel: enhanced Gate-source voltage: ±20V Mounting: SMD Case: PowerDI®3333-8 кількість в упаковці: 1 шт |
товар відсутній |
||||||||||||||||||
| DMT8012LFG-7 | Виробник : DIODES INCORPORATED |
Category: SMD N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 80V; 30A; 2.2W; PowerDI®3333-8 Drain-source voltage: 80V Drain current: 30A On-state resistance: 22mΩ Type of transistor: N-MOSFET Power dissipation: 2.2W Polarisation: unipolar Kind of package: reel; tape Kind of channel: enhanced Gate-source voltage: ±20V Mounting: SMD Case: PowerDI®3333-8 |
товар відсутній |