DMT6013LSS-13

DMT6013LSS-13 Diodes Incorporated


DMT6013LSS.pdf Виробник: Diodes Incorporated
Description: MOSFET N-CH 60V 10A 8SO
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 10A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 14.3mOhm @ 10A, 10V
Power Dissipation (Max): 1.4W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-SOP
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 15 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1081 pF @ 30 V
на замовлення 12500 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
2500+13.1 грн
5000+ 11.97 грн
12500+ 11.12 грн
Мінімальне замовлення: 2500
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис DMT6013LSS-13 Diodes Incorporated

Description: MOSFET N-CH 60V 10A 8SO, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width), Mounting Type: Surface Mount, Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), FET Type: N-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 10A (Ta), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 14.3mOhm @ 10A, 10V, Power Dissipation (Max): 1.4W (Ta), Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA, Supplier Device Package: 8-SOP, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V, Vgs (Max): ±20V, Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 15 nC @ 10 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1081 pF @ 30 V.

Інші пропозиції DMT6013LSS-13 за ціною від 10.54 грн до 41.16 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна без ПДВ
DMT6013LSS-13 DMT6013LSS-13 Виробник : Diodes Incorporated diodes_inc_diod-s-a0007740297-1-1749125.pdf MOSFETs MOSFET BVDSS 41V-60V
на замовлення 3333 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
8+41.16 грн
10+ 35.08 грн
100+ 22.84 грн
500+ 17.92 грн
1000+ 13.85 грн
2500+ 11.39 грн
10000+ 10.54 грн
Мінімальне замовлення: 8
DMT6013LSS-13 DMT6013LSS-13 Виробник : Diodes Inc dmt6013lss.pdf Trans MOSFET N-CH 60V 10A 8-Pin SO T/R
товар відсутній
DMT6013LSS-13 DMT6013LSS-13 Виробник : DIODES INCORPORATED DMT6013LSS.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 6.5A; Idm: 60A; 2.1W; SO8
Case: SO8
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Pulsed drain current: 60A
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 6.5A
On-state resistance: 21mΩ
Type of transistor: N-MOSFET
Power dissipation: 2.1W
Polarisation: unipolar
Gate charge: 15nC
Kind of channel: enhanced
Gate-source voltage: ±20V
кількість в упаковці: 1 шт
товар відсутній
DMT6013LSS-13 DMT6013LSS-13 Виробник : DIODES INCORPORATED DMT6013LSS.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 6.5A; Idm: 60A; 2.1W; SO8
Case: SO8
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Pulsed drain current: 60A
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 6.5A
On-state resistance: 21mΩ
Type of transistor: N-MOSFET
Power dissipation: 2.1W
Polarisation: unipolar
Gate charge: 15nC
Kind of channel: enhanced
Gate-source voltage: ±20V
товар відсутній