![DMT6013LSS-13 DMT6013LSS-13](https://mm.digikey.com/Volume0/opasdata/d220001/medias/images/5734/31%7E8SOP-3.9%7EE%2CS%7E8.jpg)
DMT6013LSS-13 Diodes Incorporated
![DMT6013LSS.pdf](/images/adobe-acrobat.png)
Description: MOSFET N-CH 60V 10A 8SO
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 10A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 14.3mOhm @ 10A, 10V
Power Dissipation (Max): 1.4W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-SOP
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 15 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1081 pF @ 30 V
на замовлення 12500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
2500+ | 13.1 грн |
5000+ | 11.97 грн |
12500+ | 11.12 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис DMT6013LSS-13 Diodes Incorporated
Description: MOSFET N-CH 60V 10A 8SO, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width), Mounting Type: Surface Mount, Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), FET Type: N-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 10A (Ta), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 14.3mOhm @ 10A, 10V, Power Dissipation (Max): 1.4W (Ta), Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA, Supplier Device Package: 8-SOP, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V, Vgs (Max): ±20V, Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 15 nC @ 10 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1081 pF @ 30 V.
Інші пропозиції DMT6013LSS-13 за ціною від 10.54 грн до 41.16 грн
Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна без ПДВ | ||||||||||||||||
---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
![]() |
DMT6013LSS-13 | Виробник : Diodes Incorporated |
![]() |
на замовлення 3333 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
![]() |
DMT6013LSS-13 | Виробник : Diodes Inc |
![]() |
товар відсутній |
|||||||||||||||||
![]() |
DMT6013LSS-13 | Виробник : DIODES INCORPORATED |
![]() Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 6.5A; Idm: 60A; 2.1W; SO8 Case: SO8 Mounting: SMD Kind of package: reel; tape Pulsed drain current: 60A Drain-source voltage: 60V Drain current: 6.5A On-state resistance: 21mΩ Type of transistor: N-MOSFET Power dissipation: 2.1W Polarisation: unipolar Gate charge: 15nC Kind of channel: enhanced Gate-source voltage: ±20V кількість в упаковці: 1 шт |
товар відсутній |
|||||||||||||||||
![]() |
DMT6013LSS-13 | Виробник : DIODES INCORPORATED |
![]() Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 6.5A; Idm: 60A; 2.1W; SO8 Case: SO8 Mounting: SMD Kind of package: reel; tape Pulsed drain current: 60A Drain-source voltage: 60V Drain current: 6.5A On-state resistance: 21mΩ Type of transistor: N-MOSFET Power dissipation: 2.1W Polarisation: unipolar Gate charge: 15nC Kind of channel: enhanced Gate-source voltage: ±20V |
товар відсутній |