DMT6006LK3-13 DIODES INCORPORATED
Виробник: DIODES INCORPORATEDCategory: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 71A; Idm: 350A; 3.1W; TO252
Case: TO252
Kind of package: reel; tape
Mounting: SMD
On-state resistance: 10mΩ
Type of transistor: N-MOSFET
Power dissipation: 3.1W
Polarisation: unipolar
Kind of channel: enhanced
Gate-source voltage: ±20V
Pulsed drain current: 350A
Gate charge: 34.9nC
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 71A
кількість в упаковці: 2500 шт
товару немає в наявності
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис DMT6006LK3-13 DIODES INCORPORATED
Category: SMD N channel transistors, Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 71A; Idm: 350A; 3.1W; TO252, Case: TO252, Kind of package: reel; tape, Mounting: SMD, On-state resistance: 10mΩ, Type of transistor: N-MOSFET, Power dissipation: 3.1W, Polarisation: unipolar, Kind of channel: enhanced, Gate-source voltage: ±20V, Pulsed drain current: 350A, Gate charge: 34.9nC, Drain-source voltage: 60V, Drain current: 71A, кількість в упаковці: 2500 шт.
Інші пропозиції DMT6006LK3-13
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна без ПДВ |
|---|---|---|---|---|---|
 |
DMT6006LK3-13 | Виробник : Diodes Incorporated |
Description: MOSFET BVDSS: 41V~60V TO252 T&R |
товару немає в наявності |
|
| DMT6006LK3-13 | Виробник : Diodes Incorporated |
MOSFET MOSFET BVDSS: 41V-60V TO252 T&R 2.5K |
товару немає в наявності |
||
| DMT6006LK3-13 | Виробник : DIODES INCORPORATED |
Category: SMD N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 71A; Idm: 350A; 3.1W; TO252 Case: TO252 Kind of package: reel; tape Mounting: SMD On-state resistance: 10mΩ Type of transistor: N-MOSFET Power dissipation: 3.1W Polarisation: unipolar Kind of channel: enhanced Gate-source voltage: ±20V Pulsed drain current: 350A Gate charge: 34.9nC Drain-source voltage: 60V Drain current: 71A |
товару немає в наявності |