DMT6005LFG-13 DIODES INCORPORATED
Виробник: DIODES INCORPORATEDCategory: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 14A; Idm: 400A; 1.98W
Case: PowerDI3333-8
Kind of package: reel; tape
Mounting: SMD
On-state resistance: 7mΩ
Type of transistor: N-MOSFET
Power dissipation: 1.98W
Polarisation: unipolar
Kind of channel: enhanced
Gate-source voltage: ±20V
Pulsed drain current: 400A
Gate charge: 48.7nC
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 14A
кількість в упаковці: 3000 шт
товар відсутній
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис DMT6005LFG-13 DIODES INCORPORATED
Category: SMD N channel transistors, Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 14A; Idm: 400A; 1.98W, Case: PowerDI3333-8, Kind of package: reel; tape, Mounting: SMD, On-state resistance: 7mΩ, Type of transistor: N-MOSFET, Power dissipation: 1.98W, Polarisation: unipolar, Kind of channel: enhanced, Gate-source voltage: ±20V, Pulsed drain current: 400A, Gate charge: 48.7nC, Drain-source voltage: 60V, Drain current: 14A, кількість в упаковці: 3000 шт.
Інші пропозиції DMT6005LFG-13
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна без ПДВ |
|---|---|---|---|---|---|
 |
DMT6005LFG-13 | Виробник : Diodes Incorporated |
Description: MOSFET BVDSS: 41V-60V POWERDI333 |
товар відсутній |
|
 |
DMT6005LFG-13 | Виробник : Diodes Incorporated |
MOSFET MOSFET BVDSS: 41V-60V |
товар відсутній |
|
| DMT6005LFG-13 | Виробник : DIODES INCORPORATED |
Category: SMD N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 14A; Idm: 400A; 1.98W Case: PowerDI3333-8 Kind of package: reel; tape Mounting: SMD On-state resistance: 7mΩ Type of transistor: N-MOSFET Power dissipation: 1.98W Polarisation: unipolar Kind of channel: enhanced Gate-source voltage: ±20V Pulsed drain current: 400A Gate charge: 48.7nC Drain-source voltage: 60V Drain current: 14A |
товар відсутній |