DMT6002LPS-13 DIODES INC.
Виробник: DIODES INC.Description: DIODES INC. - DMT6002LPS-13 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 100 A, 0.0015 ohm, PowerDI 5060, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 100A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 2.3W
Bauform - Transistor: PowerDI 5060
Anzahl der Pins: 8Pins
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0015ohm
SVHC: Lead (23-Jan-2024)
на замовлення 1107 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 100+ | 84.39 грн |
| 500+ | 68.09 грн |
| 1000+ | 59.44 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис DMT6002LPS-13 DIODES INC.
Description: DIODES INC. - DMT6002LPS-13 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 100 A, 0.0015 ohm, PowerDI 5060, Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 60V, rohsCompliant: Y-EX, Dauer-Drainstrom Id: 100A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 2.3W, Bauform - Transistor: PowerDI 5060, Anzahl der Pins: 8Pins, Produktpalette: -, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Kanaltyp: n-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0015ohm, SVHC: Lead (23-Jan-2024).
Інші пропозиції DMT6002LPS-13 за ціною від 48.04 грн до 143.56 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна без ПДВ | ||||||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
|
|
DMT6002LPS-13 | Виробник : DIODES INC. |
Description: DIODES INC. - DMT6002LPS-13 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 100 A, 0.0015 ohm, PowerDI 5060, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 60V rohsCompliant: Y-EX Dauer-Drainstrom Id: 100A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V euEccn: NLR Verlustleistung: 2.3W Bauform - Transistor: PowerDI 5060 Anzahl der Pins: 8Pins Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0015ohm SVHC: Lead (23-Jan-2024) |
на замовлення 1107 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
 |
DMT6002LPS-13 | Виробник : Diodes Incorporated |
MOSFETs MOSFET BVDSS 41V-60V |
на замовлення 2269 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
 |
DMT6002LPS-13 | Виробник : Diodes Incorporated |
Description: MOSFET N-CH 60V 100A PWRDI5060-8 Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: 8-PowerTDFN Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 100A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2mOhm @ 50A, 10V Power Dissipation (Max): 2.3W Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA Supplier Device Package: PowerDI5060-8 (Type K) Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 130.8 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 6555 pF @ 30 V Grade: Automotive Qualification: AEC-Q101 |
на замовлення 1150 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
| DMT6002LPS-13 | Виробник : DIODES INCORPORATED |
Category: SMD N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 100A; Idm: 400A; 2.3W Case: PowerDI5060-8 Kind of package: reel; tape Mounting: SMD On-state resistance: 3mΩ Type of transistor: N-MOSFET Power dissipation: 2.3W Polarisation: unipolar Kind of channel: enhanced Gate-source voltage: ±20V Pulsed drain current: 400A Gate charge: 130.8nC Drain-source voltage: 60V Drain current: 100A кількість в упаковці: 2500 шт |
товару немає в наявності |
||||||||||||||||||
|
|
DMT6002LPS-13 | Виробник : Diodes Incorporated |
Description: MOSFET N-CH 60V 100A PWRDI5060-8 Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: 8-PowerTDFN Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 100A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2mOhm @ 50A, 10V Power Dissipation (Max): 2.3W Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA Supplier Device Package: PowerDI5060-8 (Type K) Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 130.8 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 6555 pF @ 30 V Grade: Automotive Qualification: AEC-Q101 |
товару немає в наявності |
|||||||||||||||||
| DMT6002LPS-13 | Виробник : DIODES INCORPORATED |
Category: SMD N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 100A; Idm: 400A; 2.3W Case: PowerDI5060-8 Kind of package: reel; tape Mounting: SMD On-state resistance: 3mΩ Type of transistor: N-MOSFET Power dissipation: 2.3W Polarisation: unipolar Kind of channel: enhanced Gate-source voltage: ±20V Pulsed drain current: 400A Gate charge: 130.8nC Drain-source voltage: 60V Drain current: 100A |
товару немає в наявності |