DMPH6250SQ-7 Diodes Zetex
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 3000+ | 9.73 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис DMPH6250SQ-7 Diodes Zetex
Description: DIODES INC. - DMPH6250SQ-7 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 60 V, 2.4 A, 0.112 ohm, SOT-23, Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 60V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 2.4A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: AEC-Q101, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.9V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 920mW, Bauform - Transistor: SOT-23, Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: PW Series, productTraceability: No, Kanaltyp: p-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Betriebstemperatur, max.: 175°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.112ohm, SVHC: No SVHC (23-Jan-2024).
Інші пропозиції DMPH6250SQ-7 за ціною від 7.66 грн до 36.06 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна без ПДВ | ||||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 |
DMPH6250SQ-7 | Виробник : Diodes Incorporated |
 Description: MOSFET P-CH 60V 2.4A SOT23 T&RPackaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: P-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2.4A (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 155mOhm @ 2A, 10V Power Dissipation (Max): 920mW Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA Supplier Device Package: SOT-23-3 Grade: Automotive Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 8.3 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 512 pF @ 30 V Qualification: AEC-Q101 |
на замовлення 558000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
 |
DMPH6250SQ-7 | Виробник : Diodes Inc |
Trans MOSFET P-CH 60V 2.4A Automotive AEC-Q101 3-Pin SOT-23 T/R |
на замовлення 3000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
|
|
DMPH6250SQ-7 | Виробник : Diodes Zetex |
Trans MOSFET P-CH 60V 2.4A Automotive AEC-Q101 3-Pin SOT-23 T/R |
на замовлення 3000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
 |
DMPH6250SQ-7 | Виробник : DIODES INC. |
Description: DIODES INC. - DMPH6250SQ-7 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 60 V, 2.4 A, 0.112 ohm, SOT-23, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 60V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 2.4A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: AEC-Q101 usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.9V euEccn: NLR Verlustleistung: 920mW Bauform - Transistor: SOT-23 Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: PW Series productTraceability: No Kanaltyp: p-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 175°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.112ohm SVHC: No SVHC (23-Jan-2024) |
на замовлення 1165 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
|
|
DMPH6250SQ-7 | Виробник : Diodes Incorporated |
Description: MOSFET P-CH 60V 2.4A SOT23 T&R Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: P-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2.4A (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 155mOhm @ 2A, 10V Power Dissipation (Max): 920mW Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA Supplier Device Package: SOT-23-3 Grade: Automotive Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 8.3 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 512 pF @ 30 V Qualification: AEC-Q101 |
на замовлення 561383 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
 |
DMPH6250SQ-7 | Виробник : Diodes Incorporated |
MOSFET MOSFET BVDSS: 61V-100V |
на замовлення 11022 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||
|
|
DMPH6250SQ-7 | Виробник : DIODES INC. |
Description: DIODES INC. - DMPH6250SQ-7 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 60 V, 2.4 A, 0.112 ohm, SOT-23, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 60V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 2.4A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: AEC-Q101 usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.9V euEccn: NLR Verlustleistung: 920mW Bauform - Transistor: SOT-23 Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: PW Series productTraceability: No Kanaltyp: p-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 175°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.112ohm SVHC: No SVHC (23-Jan-2024) |
на замовлення 1165 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
|
|
DMPH6250SQ-7 | Виробник : Diodes Zetex |
Trans MOSFET P-CH 60V 2.4A Automotive AEC-Q101 3-Pin SOT-23 T/R |
товар відсутній |
|||||||||||||||
 |
DMPH6250SQ-7 | Виробник : DIODES INCORPORATED |
Category: SMD P channel transistors Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -60V; -1.5A; Idm: -13A; 1.62W; SOT23 Type of transistor: P-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: -60V Drain current: -1.5A Pulsed drain current: -13A Power dissipation: 1.62W Case: SOT23 Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 0.24Ω Mounting: SMD Gate charge: 8.3nC Kind of package: reel; tape Kind of channel: enhanced кількість в упаковці: 1 шт |
товар відсутній |
|||||||||||||||
|
|
DMPH6250SQ-7 | Виробник : DIODES INCORPORATED |
Category: SMD P channel transistors Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -60V; -1.5A; Idm: -13A; 1.62W; SOT23 Type of transistor: P-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: -60V Drain current: -1.5A Pulsed drain current: -13A Power dissipation: 1.62W Case: SOT23 Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 0.24Ω Mounting: SMD Gate charge: 8.3nC Kind of package: reel; tape Kind of channel: enhanced |
товар відсутній |