DMPH6050SPDQ-13 Diodes Incorporated
Виробник: Diodes IncorporatedDescription: MOSFET 2P-CH 26A POWERDI50
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 P-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 26A (Tc)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1525pF @ 30V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 48mOhm @ 5A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 14.5nC @ 4.5V
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerDI5060-8
Part Status: Active
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 212500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 2500+ | 34.83 грн |
| 5000+ | 31.94 грн |
| 12500+ | 30.47 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис DMPH6050SPDQ-13 Diodes Incorporated
Description: MOSFET 2P-CH 26A POWERDI50, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: 8-PowerTDFN, Mounting Type: Surface Mount, Configuration: 2 P-Channel (Dual), Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 26A (Tc), Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1525pF @ 30V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 48mOhm @ 5A, 10V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 14.5nC @ 4.5V, Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA, Supplier Device Package: PowerDI5060-8, Part Status: Active, Grade: Automotive, Qualification: AEC-Q101.
Інші пропозиції DMPH6050SPDQ-13 за ціною від 31.07 грн до 90.2 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна без ПДВ | ||||||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 |
DMPH6050SPDQ-13 | Виробник : Diodes Zetex |
Trans MOSFET P-CH 60V 6.3A Automotive AEC-Q101 8-Pin PowerDI EP T/R |
на замовлення 210000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
|
DMPH6050SPDQ-13 | Виробник : Diodes Incorporated |
Description: MOSFET 2P-CH 26A POWERDI50 Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: 8-PowerTDFN Mounting Type: Surface Mount Configuration: 2 P-Channel (Dual) Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 26A (Tc) Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1525pF @ 30V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 48mOhm @ 5A, 10V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 14.5nC @ 4.5V Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA Supplier Device Package: PowerDI5060-8 Part Status: Active Grade: Automotive Qualification: AEC-Q101 |
на замовлення 213497 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
 |
DMPH6050SPDQ-13 | Виробник : Diodes Incorporated |
MOSFET MOSFET BVDSS: 41V-60V |
на замовлення 4954 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
|
DMPH6050SPDQ-13 | Виробник : Diodes Zetex |
Trans MOSFET P-CH 60V 6.3A Automotive AEC-Q101 8-Pin PowerDI EP T/R |
товар відсутній |
|||||||||||||||||
 |
DMPH6050SPDQ-13 | Виробник : Diodes Inc |
Trans MOSFET P-CH 60V 6.3A Automotive 8-Pin PowerDI EP T/R |
товар відсутній |
|||||||||||||||||
| DMPH6050SPDQ-13 | Виробник : DIODES INCORPORATED |
Category: SMD P channel transistors Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -60V; -4.4A; Idm: -40A; 2.8W Type of transistor: P-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: -60V Drain current: -4.4A Pulsed drain current: -40A Power dissipation: 2.8W Case: PowerDI5060-8 Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 60mΩ Mounting: SMD Gate charge: 30.6nC Kind of package: reel; tape Kind of channel: enhanced кількість в упаковці: 2500 шт |
товар відсутній |
||||||||||||||||||
| DMPH6050SPDQ-13 | Виробник : DIODES INCORPORATED |
Category: SMD P channel transistors Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -60V; -4.4A; Idm: -40A; 2.8W Type of transistor: P-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: -60V Drain current: -4.4A Pulsed drain current: -40A Power dissipation: 2.8W Case: PowerDI5060-8 Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 60mΩ Mounting: SMD Gate charge: 30.6nC Kind of package: reel; tape Kind of channel: enhanced |
товар відсутній |