DMPH6050SPD-13 Diodes Incorporated
Виробник: Diodes IncorporatedDescription: MOSFET 2P-CH 26A POWERDI50
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 P-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 26A (Tc)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1525pF @ 30V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 48mOhm @ 5A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 14.5nC @ 4.5V
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerDI5060-8
Grade: Automotive
Part Status: Active
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 45000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 2500+ | 31.5 грн |
| 5000+ | 28.89 грн |
| 12500+ | 27.55 грн |
| 25000+ | 25.81 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис DMPH6050SPD-13 Diodes Incorporated
Description: DIODES INC. - DMPH6050SPD-13 - Dual-MOSFET, p-Kanal, 60 V, 60 V, 26 A, 26 A, 0.036 ohm, tariffCode: 85412900, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 26A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: AEC-Q101, Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 60V, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, usEccn: EAR99, Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 26A, Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 0.036ohm, Verlustleistung, p-Kanal: 2.8W, Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 60V, euEccn: NLR, Bauform - Transistor: PowerDI5060, Anzahl der Pins: 8Pin(s), Produktpalette: Multicomp Pro RJ45 Adapter, Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.036ohm, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Kanaltyp: p-Kanal, Verlustleistung, n-Kanal: 2.8W, Betriebstemperatur, max.: 175°C, SVHC: No SVHC (23-Jan-2024).
Інші пропозиції DMPH6050SPD-13 за ціною від 27.23 грн до 90.21 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна без ПДВ | ||||||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 |
DMPH6050SPD-13 | Виробник : Diodes Zetex |
Trans MOSFET P-CH 60V 6.3A 8-Pin PowerDI EP T/R |
на замовлення 2500 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
|
DMPH6050SPD-13 | Виробник : Diodes Zetex |
Trans MOSFET P-CH 60V 6.3A 8-Pin PowerDI EP T/R |
на замовлення 42500 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
 |
DMPH6050SPD-13 | Виробник : Diodes Inc |
Trans MOSFET P-CH 60V 6.3A 8-Pin PowerDI EP T/R |
на замовлення 2500 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
|
DMPH6050SPD-13 | Виробник : Diodes Zetex |
Trans MOSFET P-CH 60V 6.3A 8-Pin PowerDI EP T/R |
на замовлення 2500 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
 |
DMPH6050SPD-13 | Виробник : DIODES INC. |
Description: DIODES INC. - DMPH6050SPD-13 - Dual-MOSFET, p-Kanal, 60 V, 60 V, 26 A, 26 A, 0.036 ohm tariffCode: 85412900 rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 26A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: AEC-Q101 Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 60V MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 26A Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 0.036ohm Verlustleistung, p-Kanal: 2.8W Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 60V euEccn: NLR Bauform - Transistor: PowerDI5060 Anzahl der Pins: 8Pin(s) Produktpalette: Multicomp Pro RJ45 Adapter Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.036ohm productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: p-Kanal Verlustleistung, n-Kanal: 2.8W Betriebstemperatur, max.: 175°C SVHC: No SVHC (23-Jan-2024) |
на замовлення 3591 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
|
DMPH6050SPD-13 | Виробник : Diodes Incorporated |
Description: MOSFET 2P-CH 26A POWERDI50 Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: 8-PowerTDFN Mounting Type: Surface Mount Configuration: 2 P-Channel (Dual) Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 26A (Tc) Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1525pF @ 30V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 48mOhm @ 5A, 10V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 14.5nC @ 4.5V Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA Supplier Device Package: PowerDI5060-8 Grade: Automotive Part Status: Active Qualification: AEC-Q101 |
на замовлення 46140 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
 |
DMPH6050SPD-13 | Виробник : Diodes Incorporated |
MOSFET MOSFET BVDSS: 41V-60V |
на замовлення 27521 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
|
DMPH6050SPD-13 | Виробник : DIODES INC. |
Description: DIODES INC. - DMPH6050SPD-13 - Dual-MOSFET, p-Kanal, 60 V, 60 V, 26 A, 26 A, 0.036 ohm tariffCode: 85412900 rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 26A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: AEC-Q101 Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 60V MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 26A Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 0.036ohm Verlustleistung, p-Kanal: 2.8W Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 60V euEccn: NLR Bauform - Transistor: PowerDI5060 Anzahl der Pins: 8Pin(s) Produktpalette: Multicomp Pro RJ45 Adapter Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.036ohm productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: p-Kanal Verlustleistung, n-Kanal: 2.8W Betriebstemperatur, max.: 175°C SVHC: No SVHC (23-Jan-2024) |
на замовлення 3591 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
|
DMPH6050SPD-13 | Виробник : Diodes Zetex |
Trans MOSFET P-CH 60V 6.3A 8-Pin PowerDI EP T/R |
товар відсутній |
|||||||||||||||||
| DMPH6050SPD-13 | Виробник : DIODES INCORPORATED |
Category: SMD P channel transistors Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -60V; -4.4A; Idm: -40A; 2.8W Type of transistor: P-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: -60V Drain current: -4.4A Pulsed drain current: -40A Power dissipation: 2.8W Case: PowerDI5060-8 Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 60mΩ Mounting: SMD Gate charge: 30.6nC Kind of package: reel; tape Kind of channel: enhanced кількість в упаковці: 2500 шт |
товар відсутній |
||||||||||||||||||
| DMPH6050SPD-13 | Виробник : DIODES INCORPORATED |
Category: SMD P channel transistors Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -60V; -4.4A; Idm: -40A; 2.8W Type of transistor: P-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: -60V Drain current: -4.4A Pulsed drain current: -40A Power dissipation: 2.8W Case: PowerDI5060-8 Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 60mΩ Mounting: SMD Gate charge: 30.6nC Kind of package: reel; tape Kind of channel: enhanced |
товар відсутній |