Продукція > DIODES INCORPORATED > DMPH6050SFGQ-7

DMPH6050SFGQ-7 Diodes Incorporated

Name: DMPH6050SFGQ-7
Brand: Diodes Incorporated
SKU: 12632156-3
Price: 22.09 UAH
Availability: InStock

Виробник: Diodes Incorporated
Description: MOSFET P-CH 60V PWRDI3333
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerVDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 6.1A (Ta), 18A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 50mOhm @ 7A, 10V
Power Dissipation (Max): 1.2W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerDI3333-8
Grade: Automotive
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 24.1 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1293 pF @ 30 V
Qualification: AEC-Q101

на замовлення 2264000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

Кількість	Ціна без ПДВ
2000+	24.55 грн
6000+	22.51 грн
10000+	22.09 грн

Мінімальне замовлення: 2000

Відгуки про товар

Написати відгук

Технічний опис DMPH6050SFGQ-7 Diodes Incorporated

Description: DIODES INC. - DMPH6050SFGQ-7 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 60 V, 6.1 A, 0.041 ohm, PowerDI3333, Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 60V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 6.1A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: AEC-Q101, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 1.2W, Bauform - Transistor: PowerDI3333, Anzahl der Pins: 8Pin(s), Produktpalette: Multicomp Pro RJ45 Adapter, productTraceability: No, Kanaltyp: p-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Betriebstemperatur, max.: 175°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.041ohm, SVHC: Lead (23-Jan-2024).

Інші пропозиції DMPH6050SFGQ-7 за ціною від 21.75 грн до 72.92 грн

Фото

Назва

Виробник

Інформація

Доступність

Ціна без ПДВ

DMPH6050SFGQ-7

Виробник : Diodes Zetex

Trans MOSFET P-CH 60V 6.1A Automotive AEC-Q101 8-Pin PowerDI EP T/R

на замовлення 3006000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

Кількість	Ціна без ПДВ
2000+	26.64 грн

Мінімальне замовлення: 2000

DMPH6050SFGQ-7

Виробник : Diodes Zetex

Trans MOSFET P-CH 60V 6.1A Automotive AEC-Q101 8-Pin PowerDI EP T/R

на замовлення 1750 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

Кількість	Ціна без ПДВ
211+	57.24 грн
215+	56.17 грн
270+	44.74 грн
273+	42.71 грн
500+	33.99 грн
1000+	23.43 грн

Мінімальне замовлення: 211

DMPH6050SFGQ-7

Виробник : Diodes Incorporated

Description: MOSFET P-CH 60V PWRDI3333
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerVDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 6.1A (Ta), 18A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 50mOhm @ 7A, 10V
Power Dissipation (Max): 1.2W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerDI3333-8
Grade: Automotive
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 24.1 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1293 pF @ 30 V
Qualification: AEC-Q101

на замовлення 2264873 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

Кількість	Ціна без ПДВ
6+	59.41 грн
10+	46.78 грн
100+	36.36 грн
500+	28.93 грн
1000+	23.56 грн

Мінімальне замовлення: 6

DMPH6050SFGQ-7

Виробник : Diodes Zetex

Trans MOSFET P-CH 60V 6.1A Automotive AEC-Q101 8-Pin PowerDI EP T/R

на замовлення 1750 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

Кількість	Ціна без ПДВ
10+	64.35 грн
12+	53.15 грн
25+	52.16 грн
100+	40.06 грн
250+	36.72 грн
500+	30.3 грн
1000+	21.75 грн

Мінімальне замовлення: 10

DMPH6050SFGQ-7

Виробник : Diodes Incorporated

MOSFET MOSFET BVDSS: 41V-60V

на замовлення 7668 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

Кількість	Ціна без ПДВ
5+	66.35 грн
10+	53.73 грн
100+	36.36 грн
500+	30.87 грн
1000+	25.17 грн
2000+	24.47 грн

Мінімальне замовлення: 5

DMPH6050SFGQ-7

Виробник : DIODES INC.

DIOD-S-A0004567093-1.pdf?hkey=52A5661711E402568146F3353EA87419

Description: DIODES INC. - DMPH6050SFGQ-7 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 60 V, 6.1 A, 0.041 ohm, PowerDI3333, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 6.1A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 1.2W
Bauform - Transistor: PowerDI3333
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: Multicomp Pro RJ45 Adapter
productTraceability: No
Kanaltyp: p-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.041ohm
SVHC: Lead (23-Jan-2024)

на замовлення 87 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

Кількість	Ціна без ПДВ
11+	72.92 грн
14+	57.17 грн

Мінімальне замовлення: 11

DMPH6050SFGQ-7

Виробник : DIODES INC.

на замовлення 87 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

DMPH6050SFGQ-7

Виробник : Diodes Zetex

Trans MOSFET P-CH 60V 6.1A Automotive AEC-Q101 8-Pin PowerDI EP T/R

товар відсутній

DMPH6050SFGQ-7

Виробник : Diodes Inc

Trans MOSFET P-CH 60V 6.1A Automotive 8-Pin PowerDI EP T/R

товар відсутній

DMPH6050SFGQ-7

Виробник : DIODES INCORPORATED

Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -60V; -4.2A; Idm: -32A; 2.8W
Type of transistor: P-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -60V
Drain current: -4.2A
Pulsed drain current: -32A
Power dissipation: 2.8W
Case: PowerDI3333-8
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 70mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 24.1nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhanced
кількість в упаковці: 2000 шт

товар відсутній

DMPH6050SFGQ-7

Виробник : DIODES INCORPORATED

товар відсутній