DMP6023LFGQ-7 Diodes Zetex
на замовлення 14000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 2000+ | 19.38 грн |
| 4000+ | 18.48 грн |
| 10000+ | 18.29 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис DMP6023LFGQ-7 Diodes Zetex
Description: MOSFET P-CH 60V 7.7A PWRDI3333-8, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: 8-PowerVDFN, Mounting Type: Surface Mount, Operating Temperature: -55°C ~ 155°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), FET Type: P-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 7.7A (Ta), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 25mOhm @ 5A, 10V, Power Dissipation (Max): 1W (Ta), Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA, Supplier Device Package: PowerDI3333-8, Part Status: Active, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V, Vgs (Max): ±20V, Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 53.1 nC @ 10 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2569 pF @ 30 V, Grade: Automotive, Qualification: AEC-Q101.
Інші пропозиції DMP6023LFGQ-7 за ціною від 16.93 грн до 64.32 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна без ПДВ | ||||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 |
DMP6023LFGQ-7 | Виробник : Diodes Inc |
 Trans MOSFET P-CH 60V 7.7A Automotive 8-Pin PowerDI EP T/R |
на замовлення 14000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
|
|
DMP6023LFGQ-7 | Виробник : Diodes Zetex |
Trans MOSFET P-CH 60V 7.7A Automotive AEC-Q101 8-Pin PowerDI EP T/R |
на замовлення 6000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
 |
DMP6023LFGQ-7 | Виробник : Diodes Incorporated |
Description: MOSFET P-CH 60V 7.7A PWRDI3333-8 Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: 8-PowerVDFN Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 155°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: P-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 7.7A (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 25mOhm @ 5A, 10V Power Dissipation (Max): 1W (Ta) Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA Supplier Device Package: PowerDI3333-8 Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 53.1 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2569 pF @ 30 V Grade: Automotive Qualification: AEC-Q101 |
на замовлення 762000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
|
|
DMP6023LFGQ-7 | Виробник : Diodes Zetex |
Trans MOSFET P-CH 60V 7.7A Automotive AEC-Q101 8-Pin PowerDI EP T/R |
на замовлення 598000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
|
|
DMP6023LFGQ-7 | Виробник : Diodes Zetex |
Trans MOSFET P-CH 60V 7.7A Automotive AEC-Q101 8-Pin PowerDI EP T/R |
на замовлення 14000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
|
|
DMP6023LFGQ-7 | Виробник : Diodes Zetex |
Trans MOSFET P-CH 60V 7.7A Automotive AEC-Q101 8-Pin PowerDI EP T/R |
на замовлення 6000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
 |
DMP6023LFGQ-7 | Виробник : DIODES INC. |
Description: DIODES INC. - DMP6023LFGQ-7 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 60 V, 7.7 A, 0.025 ohm, PowerDI 3333, Oberflächenmontage tariffCode: 85411000 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 60V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 7.7A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: AEC-Q101 usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V euEccn: NLR Verlustleistung: 1W Bauform - Transistor: PowerDI 3333 Anzahl der Pins: 8Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: No Kanaltyp: p-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.025ohm SVHC: No SVHC (23-Jan-2024) |
на замовлення 119 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
|
|
DMP6023LFGQ-7 | Виробник : Diodes Incorporated |
Description: MOSFET P-CH 60V 7.7A PWRDI3333-8 Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: 8-PowerVDFN Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 155°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: P-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 7.7A (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 25mOhm @ 5A, 10V Power Dissipation (Max): 1W (Ta) Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA Supplier Device Package: PowerDI3333-8 Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 53.1 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2569 pF @ 30 V Grade: Automotive Qualification: AEC-Q101 |
на замовлення 762834 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
 |
DMP6023LFGQ-7 | Виробник : Diodes Incorporated |
MOSFETs MOSFET BVDSS: 41V-60V |
на замовлення 41465 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||
|
|
DMP6023LFGQ-7 | Виробник : DIODES INC. |
Description: DIODES INC. - DMP6023LFGQ-7 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 60 V, 7.7 A, 0.025 ohm, PowerDI 3333, Oberflächenmontage tariffCode: 85411000 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 60V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 7.7A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: AEC-Q101 usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V euEccn: NLR Verlustleistung: 1W Bauform - Transistor: PowerDI 3333 Anzahl der Pins: 8Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: No Kanaltyp: p-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.025ohm SVHC: No SVHC (23-Jan-2024) |
на замовлення 119 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
| DMP6023LFGQ-7 | Виробник : DIODES INCORPORATED |
Category: SMD P channel transistors Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -60V; -6.2A; Idm: -55A; 1W Mounting: SMD Application: automotive industry Case: PowerDI®3333-8 Kind of package: reel; tape Kind of channel: enhanced Gate-source voltage: ±20V Pulsed drain current: -55A Drain-source voltage: -60V Drain current: -6.2A On-state resistance: 25mΩ Type of transistor: P-MOSFET Power dissipation: 1W Polarisation: unipolar кількість в упаковці: 1 шт |
товар відсутній |
||||||||||||||||
| DMP6023LFGQ-7 | Виробник : DIODES INCORPORATED |
Category: SMD P channel transistors Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -60V; -6.2A; Idm: -55A; 1W Mounting: SMD Application: automotive industry Case: PowerDI®3333-8 Kind of package: reel; tape Kind of channel: enhanced Gate-source voltage: ±20V Pulsed drain current: -55A Drain-source voltage: -60V Drain current: -6.2A On-state resistance: 25mΩ Type of transistor: P-MOSFET Power dissipation: 1W Polarisation: unipolar |
товар відсутній |