DMP6023LFGQ-13 Diodes Zetex
на замовлення 60000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
3000+ | 19.15 грн |
6000+ | 18.32 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис DMP6023LFGQ-13 Diodes Zetex
Description: MOSFET P-CH 60V 7.7A PWRDI3333-8, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: 8-PowerVDFN, Mounting Type: Surface Mount, Operating Temperature: -55°C ~ 155°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), FET Type: P-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 7.7A (Ta), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 25mOhm @ 5A, 10V, Power Dissipation (Max): 1W (Ta), Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA, Supplier Device Package: PowerDI3333-8, Part Status: Active, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V, Vgs (Max): ±20V, Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 53.1 nC @ 10 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2569 pF @ 30 V, Grade: Automotive, Qualification: AEC-Q101.
Інші пропозиції DMP6023LFGQ-13 за ціною від 18.23 грн до 173.88 грн
Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна без ПДВ | ||||||||||||||||
---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
DMP6023LFGQ-13 | Виробник : Diodes Zetex | Trans MOSFET P-CH 60V 7.7A Automotive AEC-Q101 8-Pin PowerDI EP T/R |
на замовлення 60000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
|||||||||||||||||
DMP6023LFGQ-13 | Виробник : Diodes Incorporated |
Description: MOSFET P-CH 60V 7.7A PWRDI3333-8 Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: 8-PowerVDFN Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 155°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: P-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 7.7A (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 25mOhm @ 5A, 10V Power Dissipation (Max): 1W (Ta) Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA Supplier Device Package: PowerDI3333-8 Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 53.1 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2569 pF @ 30 V Grade: Automotive Qualification: AEC-Q101 |
на замовлення 2874000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
|||||||||||||||||
DMP6023LFGQ-13 | Виробник : Diodes Zetex | Trans MOSFET P-CH 60V 7.7A Automotive AEC-Q101 8-Pin PowerDI EP T/R |
на замовлення 2874000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
|||||||||||||||||
DMP6023LFGQ-13 | Виробник : Diodes Incorporated |
Description: MOSFET P-CH 60V 7.7A PWRDI3333-8 Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: 8-PowerVDFN Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 155°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: P-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 7.7A (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 25mOhm @ 5A, 10V Power Dissipation (Max): 1W (Ta) Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA Supplier Device Package: PowerDI3333-8 Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 53.1 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2569 pF @ 30 V Grade: Automotive Qualification: AEC-Q101 |
на замовлення 2876113 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
|||||||||||||||||
DMP6023LFGQ-13 | Виробник : Diodes Incorporated | MOSFETs MOSFET BVDSS: 41V-60V |
на замовлення 9985 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
|||||||||||||||||
DMP6023LFGQ-13 | Виробник : Diodes Incorporated | Транз. Пол. MOSFET P-Chnl 41-60 В, 25 мОм, 7,7 А PowerDI3333-8, AEC-Q101 |
на замовлення 68 шт: термін постачання 2-3 дні (днів) |
|
|||||||||||||||||
DMP6023LFGQ-13 | Виробник : Diodes Inc | Trans MOSFET P-CH 60V 7.7A Automotive 8-Pin PowerDI EP T/R |
товар відсутній |
||||||||||||||||||
DMP6023LFGQ-13 | Виробник : Diodes Zetex | Trans MOSFET P-CH 60V 7.7A Automotive AEC-Q101 8-Pin PowerDI EP T/R |
товар відсутній |
||||||||||||||||||
DMP6023LFGQ-13 | Виробник : DIODES INCORPORATED |
Category: SMD P channel transistors Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -60V; -8.2A; Idm: -55A; 2.1W Mounting: SMD Application: automotive industry Case: PowerDI3333-8 Kind of package: reel; tape Gate charge: 53.1nC Kind of channel: enhanced Gate-source voltage: ±20V Pulsed drain current: -55A Drain-source voltage: -60V Drain current: -8.2A On-state resistance: 33mΩ Type of transistor: P-MOSFET Power dissipation: 2.1W Polarisation: unipolar кількість в упаковці: 3000 шт |
товар відсутній |
||||||||||||||||||
DMP6023LFGQ-13 | Виробник : DIODES INCORPORATED |
Category: SMD P channel transistors Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -60V; -8.2A; Idm: -55A; 2.1W Mounting: SMD Application: automotive industry Case: PowerDI3333-8 Kind of package: reel; tape Gate charge: 53.1nC Kind of channel: enhanced Gate-source voltage: ±20V Pulsed drain current: -55A Drain-source voltage: -60V Drain current: -8.2A On-state resistance: 33mΩ Type of transistor: P-MOSFET Power dissipation: 2.1W Polarisation: unipolar |
товар відсутній |