![DMP45H4D9HJ3 DMP45H4D9HJ3](https://static6.arrow.com/aropdfconversion/arrowimages/c30bf5e65a8f0b5c0a3c197c7f7ff2ee2c9ae4e2/to251typeth.jpg)
DMP45H4D9HJ3 Diodes Zetex
на замовлення 37050 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
497+ | 24.26 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис DMP45H4D9HJ3 Diodes Zetex
Description: MOSFET P-CH 450V 4.6A TO251, Packaging: Tube, Package / Case: TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA, Mounting Type: Through Hole, Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), FET Type: P-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4.6A (Tc), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.9Ohm @ 1.05A, 10V, Power Dissipation (Max): 104W (Tc), Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA, Supplier Device Package: TO-251, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V, Vgs (Max): ±30V, Drain to Source Voltage (Vdss): 450 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 13.7 nC @ 10 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 547 pF @ 25 V.
Інші пропозиції DMP45H4D9HJ3 за ціною від 18.79 грн до 64.34 грн
Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна без ПДВ | ||||||||||||||||||
---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
![]() |
DMP45H4D9HJ3 | Виробник : DIODES INCORPORATED |
![]() Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -450V; -3A; Idm: -22.4A; 41W; TO251 Case: TO251 Mounting: THT Kind of package: tube Drain-source voltage: -450V Drain current: -3A On-state resistance: 4.9Ω Type of transistor: P-MOSFET Power dissipation: 41W Polarisation: unipolar Gate charge: 13.7nC Kind of channel: enhanced Gate-source voltage: ±30V Pulsed drain current: -22.4A |
на замовлення 414 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||||||
![]() |
DMP45H4D9HJ3 | Виробник : DIODES INCORPORATED |
![]() Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -450V; -3A; Idm: -22.4A; 41W; TO251 Case: TO251 Mounting: THT Kind of package: tube Drain-source voltage: -450V Drain current: -3A On-state resistance: 4.9Ω Type of transistor: P-MOSFET Power dissipation: 41W Polarisation: unipolar Gate charge: 13.7nC Kind of channel: enhanced Gate-source voltage: ±30V Pulsed drain current: -22.4A кількість в упаковці: 1 шт |
на замовлення 414 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
|
||||||||||||||||||
DMP45H4D9HJ3 | Виробник : Diodes Incorporated |
![]() Packaging: Tube Package / Case: TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: P-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4.6A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.9Ohm @ 1.05A, 10V Power Dissipation (Max): 104W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA Supplier Device Package: TO-251 Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±30V Drain to Source Voltage (Vdss): 450 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 13.7 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 547 pF @ 25 V |
на замовлення 37050 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
|||||||||||||||||||
DMP45H4D9HJ3 | Виробник : Diodes Inc |
![]() |
товар відсутній |
||||||||||||||||||||
![]() |
DMP45H4D9HJ3 | Виробник : Diodes Zetex |
![]() |
товар відсутній |
|||||||||||||||||||
DMP45H4D9HJ3 | Виробник : Diodes Incorporated |
![]() |
товар відсутній |