![DMP4015SPSQ-13 DMP4015SPSQ-13](https://static6.arrow.com/aropdfconversion/arrowimages/6fdf612755e767cae38ffe7f49bcf05ceb673a1c/powerdi5060-8.jpg)
DMP4015SPSQ-13 Diodes Zetex
на замовлення 10000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
2500+ | 24.63 грн |
5000+ | 24.39 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис DMP4015SPSQ-13 Diodes Zetex
Description: DIODES INC. - DMP4015SPSQ-13 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 40 V, 8.5 A, 0.007 ohm, PowerDI 5060, Oberflächenmontage, tariffCode: 85411000, Transistormontage: Oberflächenmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 40V, rohsCompliant: Y-EX, Dauer-Drainstrom Id: 8.5A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: AEC-Q101, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 1.3W, Bauform - Transistor: PowerDI 5060, Anzahl der Pins: 8Pin(s), Produktpalette: TUK SGACK902S Keystone Coupler, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Kanaltyp: p-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.007ohm, SVHC: Lead (23-Jan-2024).
Інші пропозиції DMP4015SPSQ-13 за ціною від 22.84 грн до 77.9 грн
Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна без ПДВ | ||||||||||||||||
---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
![]() |
DMP4015SPSQ-13 | Виробник : Diodes Zetex |
![]() |
на замовлення 10000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
![]() |
DMP4015SPSQ-13 | Виробник : Diodes Zetex |
![]() |
на замовлення 777500 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
![]() |
DMP4015SPSQ-13 | Виробник : Diodes Zetex |
![]() |
на замовлення 810000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
![]() |
DMP4015SPSQ-13 | Виробник : Diodes Incorporated |
![]() Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: 8-PowerTDFN Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: P-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 8.5A (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 11mOhm @ 9.8A, 10V Power Dissipation (Max): 1.3W (Ta) Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA Supplier Device Package: PowerDI5060-8 Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Vgs (Max): ±25V Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 47.5 nC @ 5 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4234 pF @ 20 V |
на замовлення 777500 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
![]() |
DMP4015SPSQ-13 | Виробник : Diodes Zetex |
![]() |
на замовлення 303 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
![]() |
DMP4015SPSQ-13 | Виробник : DIODES INC. |
![]() tariffCode: 85411000 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 40V rohsCompliant: Y-EX Dauer-Drainstrom Id: 8.5A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: AEC-Q101 usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2V euEccn: NLR Verlustleistung: 1.3W Bauform - Transistor: PowerDI 5060 Anzahl der Pins: 8Pin(s) Produktpalette: TUK SGACK902S Keystone Coupler productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: p-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.007ohm SVHC: Lead (23-Jan-2024) |
на замовлення 2500 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
![]() |
DMP4015SPSQ-13 | Виробник : Diodes Incorporated |
![]() |
на замовлення 1874 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
![]() |
DMP4015SPSQ-13 | Виробник : Diodes Incorporated |
![]() Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: 8-PowerTDFN Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: P-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 8.5A (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 11mOhm @ 9.8A, 10V Power Dissipation (Max): 1.3W (Ta) Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA Supplier Device Package: PowerDI5060-8 Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Vgs (Max): ±25V Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 47.5 nC @ 5 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4234 pF @ 20 V |
на замовлення 779633 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
![]() |
DMP4015SPSQ-13 | Виробник : DIODES INC. |
![]() tariffCode: 85411000 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 40V rohsCompliant: Y-EX Dauer-Drainstrom Id: 8.5A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: AEC-Q101 usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2V euEccn: NLR Verlustleistung: 1.3W Bauform - Transistor: PowerDI 5060 Anzahl der Pins: 8Pin(s) Produktpalette: TUK SGACK902S Keystone Coupler productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: p-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.007ohm SVHC: Lead (23-Jan-2024) |
на замовлення 2500 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
![]() |
DMP4015SPSQ-13 | Виробник : Diodes Zetex |
![]() |
на замовлення 303 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|||||||||||||||||
![]() |
DMP4015SPSQ-13 | Виробник : Diodes Zetex |
![]() |
товар відсутній |
|||||||||||||||||
![]() |
DMP4015SPSQ-13 | Виробник : Diodes Inc |
![]() |
товар відсутній |
|||||||||||||||||
DMP4015SPSQ-13 | Виробник : DIODES INCORPORATED |
![]() Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -40V; -8.7A; Idm: -100A; 0.8W Case: PowerDI®5060-8 Mounting: SMD Kind of package: reel; tape Application: automotive industry Drain-source voltage: -40V Drain current: -8.7A On-state resistance: 15mΩ Type of transistor: P-MOSFET Power dissipation: 0.8W Polarisation: unipolar Kind of channel: enhanced Gate-source voltage: ±25V Pulsed drain current: -100A кількість в упаковці: 1 шт |
товар відсутній |
||||||||||||||||||
DMP4015SPSQ-13 | Виробник : DIODES INCORPORATED |
![]() Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -40V; -8.7A; Idm: -100A; 0.8W Case: PowerDI®5060-8 Mounting: SMD Kind of package: reel; tape Application: automotive industry Drain-source voltage: -40V Drain current: -8.7A On-state resistance: 15mΩ Type of transistor: P-MOSFET Power dissipation: 0.8W Polarisation: unipolar Kind of channel: enhanced Gate-source voltage: ±25V Pulsed drain current: -100A |
товар відсутній |