![DMP4013SPSQ-13 DMP4013SPSQ-13](https://mm.digikey.com/Volume0/opasdata/d220001/medias/images/4899/DMPH4015SPSQ.jpg)
DMP4013SPSQ-13 Diodes Incorporated
![DMP4013SPSQ.pdf](/images/adobe-acrobat.png)
Description: MOSFET P-CH 40V 11A PWRDI5060
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 11A (Ta), 61A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 15mOhm @ 10A, 10V
Power Dissipation (Max): 1.6W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerDI5060-8
Grade: Automotive
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 67 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4004 pF @ 20 V
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 27500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
2500+ | 36.24 грн |
5000+ | 33.24 грн |
12500+ | 32.61 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис DMP4013SPSQ-13 Diodes Incorporated
Description: MOSFET P-CH 40V 11A PWRDI5060, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: 8-PowerTDFN, Mounting Type: Surface Mount, Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), FET Type: P-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 11A (Ta), 61A (Tc), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 15mOhm @ 10A, 10V, Power Dissipation (Max): 1.6W (Ta), Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA, Supplier Device Package: PowerDI5060-8, Grade: Automotive, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V, Vgs (Max): ±20V, Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 67 nC @ 10 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4004 pF @ 20 V, Qualification: AEC-Q101.
Інші пропозиції DMP4013SPSQ-13 за ціною від 32.89 грн до 98.4 грн
Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна без ПДВ | ||||||||||||||||
---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
![]() |
DMP4013SPSQ-13 | Виробник : Diodes Zetex |
![]() |
на замовлення 2500 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
![]() |
DMP4013SPSQ-13 | Виробник : Diodes Incorporated |
![]() Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: 8-PowerTDFN Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: P-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 11A (Ta), 61A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 15mOhm @ 10A, 10V Power Dissipation (Max): 1.6W (Ta) Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA Supplier Device Package: PowerDI5060-8 Grade: Automotive Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 67 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4004 pF @ 20 V Qualification: AEC-Q101 |
на замовлення 27648 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
![]() |
DMP4013SPSQ-13 | Виробник : Diodes Incorporated |
![]() |
на замовлення 2481 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
DMP4013SPSQ-13 | Виробник : Diodes Inc |
![]() |
товар відсутній |
||||||||||||||||||
![]() |
DMP4013SPSQ-13 | Виробник : Diodes Zetex |
![]() |
товар відсутній |
|||||||||||||||||
DMP4013SPSQ-13 | Виробник : DIODES INCORPORATED |
![]() Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -40V; -9A; Idm: -244A; 3.4W Gate charge: 67nC Kind of channel: enhanced Gate-source voltage: ±20V Pulsed drain current: -244A Mounting: SMD Case: PowerDI5060-8 Drain-source voltage: -40V Drain current: -9A On-state resistance: 23mΩ Type of transistor: P-MOSFET Power dissipation: 3.4W Polarisation: unipolar Kind of package: reel; tape кількість в упаковці: 2500 шт |
товар відсутній |
||||||||||||||||||
DMP4013SPSQ-13 | Виробник : DIODES INCORPORATED |
![]() Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -40V; -9A; Idm: -244A; 3.4W Gate charge: 67nC Kind of channel: enhanced Gate-source voltage: ±20V Pulsed drain current: -244A Mounting: SMD Case: PowerDI5060-8 Drain-source voltage: -40V Drain current: -9A On-state resistance: 23mΩ Type of transistor: P-MOSFET Power dissipation: 3.4W Polarisation: unipolar Kind of package: reel; tape |
товар відсутній |