Продукція > DIODES INCORPORATED > DMP31D0UFB4-7B
DMP31D0UFB4-7B

DMP31D0UFB4-7B Diodes Incorporated

DMP31D0UFB4.pdf Виробник: Diodes Incorporated
Description: MOSFET P-CH 30V 540MA 3DFN
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 3-XFDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 540mA (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1Ohm @ 400mA, 4.5V
Power Dissipation (Max): 460mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.1V @ 250µA
Supplier Device Package: X2-DFN1006-3
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.8V, 4.5V
Vgs (Max): ±8V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 0.9 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 76 pF @ 15 V
на замовлення 70000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
10000+8.77 грн
30000+ 7.75 грн
50000+ 7.46 грн
Мінімальне замовлення: 10000
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис DMP31D0UFB4-7B Diodes Incorporated

Description: MOSFET P-CH 30V 540MA 3DFN, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: 3-XFDFN, Mounting Type: Surface Mount, Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), FET Type: P-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 540mA (Ta), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1Ohm @ 400mA, 4.5V, Power Dissipation (Max): 460mW (Ta), Vgs(th) (Max) @ Id: 1.1V @ 250µA, Supplier Device Package: X2-DFN1006-3, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.8V, 4.5V, Vgs (Max): ±8V, Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 0.9 nC @ 4.5 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 76 pF @ 15 V.

Інші пропозиції DMP31D0UFB4-7B за ціною від 6.74 грн до 35.44 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна без ПДВ
DMP31D0UFB4-7B DMP31D0UFB4-7B Виробник : Diodes Incorporated DMP31D0UFB4.pdf Description: MOSFET P-CH 30V 540MA 3DFN
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 3-XFDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 540mA (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1Ohm @ 400mA, 4.5V
Power Dissipation (Max): 460mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.1V @ 250µA
Supplier Device Package: X2-DFN1006-3
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.8V, 4.5V
Vgs (Max): ±8V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 0.9 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 76 pF @ 15 V
на замовлення 89436 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
9+35.32 грн
11+ 27.35 грн
100+ 18.64 грн
500+ 13.12 грн
1000+ 9.84 грн
2000+ 9.02 грн
5000+ 8.34 грн
Мінімальне замовлення: 9
DMP31D0UFB4-7B DMP31D0UFB4-7B Виробник : Diodes Incorporated DMP31D0UFB4.pdf MOSFET MOSFET BVDSS: 25V-30 X2-DFN1006-3 T&R 10K
на замовлення 50454 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
10+35.44 грн
15+ 23.26 грн
100+ 12.63 грн
1000+ 8.23 грн
2500+ 7.95 грн
10000+ 6.96 грн
20000+ 6.74 грн
Мінімальне замовлення: 10
DMP31D0UFB4-7B Виробник : DIODES INCORPORATED DMP31D0UFB4.pdf DMP31D0UFB4-7B SMD P channel transistors
товару немає в наявності