![DMP3099LQ-7 DMP3099LQ-7](https://download.siliconexpert.com/pdfs/2014/3/2/23/41/41/835/dds_/manual/dmp3099l-7.jpg)
на замовлення 6000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
3000+ | 3.21 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис DMP3099LQ-7 Diodes Inc
Description: MOSFET P-CH 30V 3.8A SOT23 T&R, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3, Mounting Type: Surface Mount, Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), FET Type: P-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3.8A (Ta), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 65mOhm @ 3.8A, 10V, Power Dissipation (Max): 1.08W, Vgs(th) (Max) @ Id: 2.1V @ 250µA, Supplier Device Package: SOT-23-3, Part Status: Active, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V, Vgs (Max): ±20V, Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 11 nC @ 10 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 563 pF @ 25 V, Grade: Automotive, Qualification: AEC-Q101.
Інші пропозиції DMP3099LQ-7 за ціною від 2.81 грн до 26.73 грн
Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна без ПДВ | ||||||||||||||||
---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
|
DMP3099LQ-7 | Виробник : Diodes Incorporated |
![]() Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: P-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3.8A (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 65mOhm @ 3.8A, 10V Power Dissipation (Max): 1.08W Vgs(th) (Max) @ Id: 2.1V @ 250µA Supplier Device Package: SOT-23-3 Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 11 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 563 pF @ 25 V Grade: Automotive Qualification: AEC-Q101 |
на замовлення 3000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
![]() |
DMP3099LQ-7 | Виробник : Diodes Zetex |
![]() |
на замовлення 6000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
![]() |
DMP3099LQ-7 | Виробник : Diodes Zetex |
![]() |
на замовлення 6000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
DMP3099LQ-7 | Виробник : Diodes Incorporated |
![]() Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: P-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3.8A (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 65mOhm @ 3.8A, 10V Power Dissipation (Max): 1.08W Vgs(th) (Max) @ Id: 2.1V @ 250µA Supplier Device Package: SOT-23-3 Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 11 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 563 pF @ 25 V Grade: Automotive Qualification: AEC-Q101 |
на замовлення 4438 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
![]() |
DMP3099LQ-7 | Виробник : Diodes Incorporated |
![]() |
на замовлення 200794 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
![]() |
DMP3099LQ-7 | Виробник : Diodes Zetex |
![]() |
товар відсутній |
|||||||||||||||||
![]() |
DMP3099LQ-7 | Виробник : DIODES INCORPORATED |
![]() Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -30V; -2.9A; Idm: -11A; 1.08W; SOT23 Kind of package: reel; tape Drain-source voltage: -30V Drain current: -2.9A On-state resistance: 99mΩ Type of transistor: P-MOSFET Application: automotive industry Power dissipation: 1.08W Polarisation: unipolar Gate charge: 11nC Kind of channel: enhanced Gate-source voltage: ±20V Pulsed drain current: -11A Mounting: SMD Case: SOT23 кількість в упаковці: 1 шт |
товар відсутній |
|||||||||||||||||
![]() |
DMP3099LQ-7 | Виробник : DIODES INCORPORATED |
![]() Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -30V; -2.9A; Idm: -11A; 1.08W; SOT23 Kind of package: reel; tape Drain-source voltage: -30V Drain current: -2.9A On-state resistance: 99mΩ Type of transistor: P-MOSFET Application: automotive industry Power dissipation: 1.08W Polarisation: unipolar Gate charge: 11nC Kind of channel: enhanced Gate-source voltage: ±20V Pulsed drain current: -11A Mounting: SMD Case: SOT23 |
товар відсутній |