![DMP3056LSS-13 DMP3056LSS-13](https://static6.arrow.com/aropdfconversion/arrowimages/e8a214efd5b674ddcd8a4a60c6e0007f2948c906/296-8-soic.jpg)
на замовлення 30000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
2500+ | 10.54 грн |
5000+ | 10.44 грн |
12500+ | 10.33 грн |
25000+ | 9.87 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис DMP3056LSS-13 Diodes Zetex
Description: MOSFET P-CH 30V 7.1A 8SOP, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width), Mounting Type: Surface Mount, Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), FET Type: P-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 7.1A (Ta), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 45mOhm @ 6A, 10V, Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta), Vgs(th) (Max) @ Id: 2.1V @ 250µA, Supplier Device Package: 8-SOP, Part Status: Active, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V, Vgs (Max): ±20V, Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 6.8 nC @ 4.5 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 722 pF @ 25 V.
Інші пропозиції DMP3056LSS-13 за ціною від 9.99 грн до 207.99 грн
Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна без ПДВ | ||||||||||||||
---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
![]() |
DMP3056LSS-13 | Виробник : Diodes Zetex |
![]() |
на замовлення 30000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
![]() |
DMP3056LSS-13 | Виробник : Diodes Zetex |
![]() |
на замовлення 1655000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
![]() |
DMP3056LSS-13 | Виробник : Diodes Incorporated |
![]() Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: P-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 7.1A (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 45mOhm @ 6A, 10V Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta) Vgs(th) (Max) @ Id: 2.1V @ 250µA Supplier Device Package: 8-SOP Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 6.8 nC @ 4.5 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 722 pF @ 25 V |
на замовлення 1662500 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
![]() |
DMP3056LSS-13 | Виробник : Diodes Incorporated |
![]() Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: P-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 7.1A (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 45mOhm @ 6A, 10V Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta) Vgs(th) (Max) @ Id: 2.1V @ 250µA Supplier Device Package: 8-SOP Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 6.8 nC @ 4.5 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 722 pF @ 25 V |
на замовлення 1664783 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
![]() |
DMP3056LSS-13 | Виробник : Diodes Incorporated |
![]() |
на замовлення 71881 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||
DMP3056LSS-13 | Виробник : Diodes INC. |
![]() |
на замовлення 3 шт: термін постачання 3-4 дні (днів) |
|
|||||||||||||||
![]() |
DMP3056LSS-13 | Виробник : Diodes Zetex |
![]() |
товар відсутній |
|||||||||||||||
![]() |
DMP3056LSS-13 | Виробник : Diodes Inc |
![]() |
товар відсутній |
|||||||||||||||
![]() |
DMP3056LSS-13 | Виробник : DIODES INCORPORATED |
![]() Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -30V; -6A; Idm: -20A; 2.5W; SO8 Type of transistor: P-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: -30V Drain current: -6A Pulsed drain current: -20A Power dissipation: 2.5W Case: SO8 Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 45mΩ Mounting: SMD Kind of package: reel; tape Kind of channel: enhanced кількість в упаковці: 2500 шт |
товар відсутній |
|||||||||||||||
![]() |
DMP3056LSS-13 | Виробник : DIODES INCORPORATED |
![]() Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -30V; -6A; Idm: -20A; 2.5W; SO8 Type of transistor: P-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: -30V Drain current: -6A Pulsed drain current: -20A Power dissipation: 2.5W Case: SO8 Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 45mΩ Mounting: SMD Kind of package: reel; tape Kind of channel: enhanced |
товар відсутній |