DMP3036SSS-13

DMP3036SSS-13 Diodes Incorporated


DMP3036SSS.pdf Виробник: Diodes Incorporated
Description: MOSFET P-CH 30V 19.5A 8SO
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 19.5A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 20mOhm @ 9A, 10V
Power Dissipation (Max): 1.4W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-SO
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 5V, 10V
Vgs (Max): ±25V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 16.5 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1931 pF @ 15 V
на замовлення 2500 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
2500+19.8 грн
Мінімальне замовлення: 2500
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис DMP3036SSS-13 Diodes Incorporated

Description: MOSFET P-CH 30V 19.5A 8SO, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width), Mounting Type: Surface Mount, Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), FET Type: P-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 19.5A (Tc), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 20mOhm @ 9A, 10V, Power Dissipation (Max): 1.4W (Ta), Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA, Supplier Device Package: 8-SO, Part Status: Active, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 5V, 10V, Vgs (Max): ±25V, Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 16.5 nC @ 10 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1931 pF @ 15 V.

Інші пропозиції DMP3036SSS-13 за ціною від 18.27 грн до 56.62 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна без ПДВ
DMP3036SSS-13 DMP3036SSS-13 Виробник : Diodes Incorporated DMP3036SSS.pdf Description: MOSFET P-CH 30V 19.5A 8SO
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 19.5A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 20mOhm @ 9A, 10V
Power Dissipation (Max): 1.4W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-SO
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 5V, 10V
Vgs (Max): ±25V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 16.5 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1931 pF @ 15 V
на замовлення 9371 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
6+51.89 грн
10+ 43.5 грн
100+ 30.1 грн
500+ 23.61 грн
1000+ 20.09 грн
Мінімальне замовлення: 6
DMP3036SSS-13 DMP3036SSS-13 Виробник : Diodes Incorporated DMP3036SSS.pdf MOSFET P-Ch Enh Mode FET Vdss -30V 25Vgss
на замовлення 2496 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
6+56.62 грн
10+ 49.08 грн
100+ 31.67 грн
500+ 25.46 грн
1000+ 20.74 грн
2500+ 18.69 грн
5000+ 18.27 грн
Мінімальне замовлення: 6
DMP3036SSS-13 Виробник : DIODES/ZETEX DMP3036SSS.pdf Trans MOSFET P-CH 30V 11.4A Automotive 8-Pin SO T/R DMP3036SSS-13 TDMP3036SSS-13 Diodes
кількість в упаковці: 50 шт
на замовлення 180 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
50+21.32 грн
Мінімальне замовлення: 50
DMP3036SSS-13 DMP3036SSS-13 Виробник : Diodes Zetex 697dmp3036sss.pdf Trans MOSFET P-CH 30V 11.4A 8-Pin SO T/R
товар відсутній
DMP3036SSS-13 DMP3036SSS-13 Виробник : DIODES INCORPORATED DMP3036SSS.pdf Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -30V; -16.2A; 1.4W; SO8
Mounting: SMD
Drain-source voltage: -30V
Drain current: -16.2A
On-state resistance: 29mΩ
Type of transistor: P-MOSFET
Power dissipation: 1.4W
Polarisation: unipolar
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhanced
Gate-source voltage: ±25V
Case: SO8
кількість в упаковці: 1 шт
товар відсутній
DMP3036SSS-13 DMP3036SSS-13 Виробник : DIODES INCORPORATED DMP3036SSS.pdf Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -30V; -16.2A; 1.4W; SO8
Mounting: SMD
Drain-source voltage: -30V
Drain current: -16.2A
On-state resistance: 29mΩ
Type of transistor: P-MOSFET
Power dissipation: 1.4W
Polarisation: unipolar
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhanced
Gate-source voltage: ±25V
Case: SO8
товар відсутній