![DMP3028LSD-13 DMP3028LSD-13](https://mm.digikey.com/Volume0/opasdata/d220001/medias/images/5741/31%7E8SO-3.9%7E%7E8.jpg)
DMP3028LSD-13 Diodes Incorporated
![DMP3028LSD.pdf](/images/adobe-acrobat.png)
Description: MOSFET 2P-CH 30V 6A 8SO
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 P-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 1.3W
Drain to Source Voltage (Vdss): 30V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 6A
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1241pF @ 15V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 25mOhm @ 7A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 10.9nC @ 10V
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-SO
на замовлення 90000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
2500+ | 15.38 грн |
5000+ | 14.04 грн |
12500+ | 13.26 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис DMP3028LSD-13 Diodes Incorporated
Description: MOSFET 2P-CH 30V 6A 8SO, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width), Mounting Type: Surface Mount, Configuration: 2 P-Channel (Dual), Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), Power - Max: 1.3W, Drain to Source Voltage (Vdss): 30V, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 6A, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1241pF @ 15V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 25mOhm @ 7A, 10V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 10.9nC @ 10V, Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA, Supplier Device Package: 8-SO.
Інші пропозиції DMP3028LSD-13 за ціною від 14.69 грн до 45.02 грн
Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна без ПДВ | ||||||||||||||||
---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
![]() |
DMP3028LSD-13 | Виробник : Diodes Incorporated |
![]() Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) Mounting Type: Surface Mount Configuration: 2 P-Channel (Dual) Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) Power - Max: 1.3W Drain to Source Voltage (Vdss): 30V Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 6A Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1241pF @ 15V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 25mOhm @ 7A, 10V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 10.9nC @ 10V Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA Supplier Device Package: 8-SO |
на замовлення 90586 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
![]() |
DMP3028LSD-13 | Виробник : Diodes Incorporated |
![]() |
на замовлення 17856 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
![]() |
DMP3028LSD-13 | Виробник : Diodes Zetex |
![]() |
товар відсутній |
|||||||||||||||||
![]() |
DMP3028LSD-13 | Виробник : Diodes Zetex |
![]() |
товар відсутній |
|||||||||||||||||
![]() |
DMP3028LSD-13 | Виробник : Diodes Inc |
![]() |
товар відсутній |
|||||||||||||||||
![]() |
DMP3028LSD-13 | Виробник : DIODES INCORPORATED |
![]() Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -30V; -5.8A; Idm: -30A; 1.1W; SO8 Polarisation: unipolar On-state resistance: 38mΩ Kind of package: reel; tape Drain current: -5.8A Drain-source voltage: -30V Case: SO8 Gate charge: 22nC Kind of channel: enhanced Gate-source voltage: ±20V Pulsed drain current: -30A Type of transistor: P-MOSFET Mounting: SMD Power dissipation: 1.1W кількість в упаковці: 1 шт |
товар відсутній |
|||||||||||||||||
![]() |
DMP3028LSD-13 | Виробник : DIODES INCORPORATED |
![]() Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -30V; -5.8A; Idm: -30A; 1.1W; SO8 Polarisation: unipolar On-state resistance: 38mΩ Kind of package: reel; tape Drain current: -5.8A Drain-source voltage: -30V Case: SO8 Gate charge: 22nC Kind of channel: enhanced Gate-source voltage: ±20V Pulsed drain current: -30A Type of transistor: P-MOSFET Mounting: SMD Power dissipation: 1.1W |
товар відсутній |