DMP3028LFDE-7 Diodes Incorporated
Виробник: Diodes IncorporatedDescription: MOSFET P-CH 30V 6.8A 6UDFN
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 6-PowerUDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 6.8A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 32mOhm @ 7A, 10V
Power Dissipation (Max): 660mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.4V @ 250µA
Supplier Device Package: U-DFN2020-6 (Type E)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 22 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1241 pF @ 15 V
на замовлення 90000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 3000+ | 10.23 грн |
| 6000+ | 9.35 грн |
| 9000+ | 8.68 грн |
| 30000+ | 8 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис DMP3028LFDE-7 Diodes Incorporated
Description: MOSFET P-CH 30V 6.8A 6UDFN, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: 6-PowerUDFN, Mounting Type: Surface Mount, Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), FET Type: P-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 6.8A (Ta), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 32mOhm @ 7A, 10V, Power Dissipation (Max): 660mW (Ta), Vgs(th) (Max) @ Id: 2.4V @ 250µA, Supplier Device Package: U-DFN2020-6 (Type E), Part Status: Active, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V, Vgs (Max): ±20V, Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 22 nC @ 10 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1241 pF @ 15 V.
Інші пропозиції DMP3028LFDE-7 за ціною від 9.49 грн до 34.36 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна без ПДВ | ||||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
|
|
DMP3028LFDE-7 | Виробник : Diodes Incorporated |
Description: MOSFET P-CH 30V 6.8A 6UDFN Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: 6-PowerUDFN Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: P-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 6.8A (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 32mOhm @ 7A, 10V Power Dissipation (Max): 660mW (Ta) Vgs(th) (Max) @ Id: 2.4V @ 250µA Supplier Device Package: U-DFN2020-6 (Type E) Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 22 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1241 pF @ 15 V |
на замовлення 91639 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
 |
DMP3028LFDE-7 | Виробник : Diodes Incorporated |
MOSFETs 30V P-Ch Enh FET 32mOhm -10V -6.8A |
на замовлення 23580 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||
 |
DMP3028LFDE-7 | Виробник : Diodes Inc |
Trans MOSFET P-CH 30V 6.8A 6-Pin UDFN EP T/R |
товар відсутній |
|||||||||||||||
| DMP3028LFDE-7 | Виробник : DIODES INCORPORATED |
Category: SMD P channel transistors Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -30V; -6.6A; Idm: -40A; 1.3W Mounting: SMD Kind of package: reel; tape Power dissipation: 1.3W Polarisation: unipolar Gate charge: 33nC Kind of channel: enhanced Gate-source voltage: ±20V Pulsed drain current: -40A Case: U-DFN2020-6 Drain-source voltage: -30V Drain current: -6.6A On-state resistance: 38mΩ Type of transistor: P-MOSFET кількість в упаковці: 1 шт |
товар відсутній |
||||||||||||||||
| DMP3028LFDE-7 | Виробник : DIODES INCORPORATED |
Category: SMD P channel transistors Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -30V; -6.6A; Idm: -40A; 1.3W Mounting: SMD Kind of package: reel; tape Power dissipation: 1.3W Polarisation: unipolar Gate charge: 33nC Kind of channel: enhanced Gate-source voltage: ±20V Pulsed drain current: -40A Case: U-DFN2020-6 Drain-source voltage: -30V Drain current: -6.6A On-state resistance: 38mΩ Type of transistor: P-MOSFET |
товар відсутній |