DMP3021SSS-13

DMP3021SSS-13 Diodes Zetex


dmp3021sss.pdf Виробник: Diodes Zetex
P-Channel Enhancement Mode MOSFET
на замовлення 50000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
2500+21.17 грн
Мінімальне замовлення: 2500
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис DMP3021SSS-13 Diodes Zetex

Description: MOSFET BVDSS: 25V~30V SO-8 T&R 2, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width), Mounting Type: Surface Mount, Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), FET Type: P-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 10.4A (Ta), 39A (Tc), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 15mOhm @ 8A, 10V, Power Dissipation (Max): 1W (Ta), Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA, Supplier Device Package: 8-SO, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 5V, 10V, Vgs (Max): ±25V, Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 34 nC @ 10 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1799 pF @ 15 V.

Інші пропозиції DMP3021SSS-13 за ціною від 18.7 грн до 61.01 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна без ПДВ
DMP3021SSS-13 DMP3021SSS-13 Виробник : Diodes Incorporated DMP3021SSS.pdf Description: MOSFET BVDSS: 25V~30V SO-8 T&R 2
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 10.4A (Ta), 39A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 15mOhm @ 8A, 10V
Power Dissipation (Max): 1W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-SO
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 5V, 10V
Vgs (Max): ±25V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 34 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1799 pF @ 15 V
на замовлення 10000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
2500+21.88 грн
5000+ 19.96 грн
Мінімальне замовлення: 2500
DMP3021SSS-13 DMP3021SSS-13 Виробник : Diodes Incorporated DMP3021SSS.pdf Description: MOSFET BVDSS: 25V~30V SO-8 T&R 2
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 10.4A (Ta), 39A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 15mOhm @ 8A, 10V
Power Dissipation (Max): 1W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-SO
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 5V, 10V
Vgs (Max): ±25V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 34 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1799 pF @ 15 V
на замовлення 11533 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
6+57.78 грн
10+ 48.03 грн
100+ 33.26 грн
500+ 26.08 грн
1000+ 22.2 грн
Мінімальне замовлення: 6
DMP3021SSS-13 Виробник : Diodes Incorporated DMP3021SSS.pdf MOSFETs MOSFET BVDSS: 25V-30V SO-8 T&R 2.5K
на замовлення 2400 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
6+61.01 грн
10+ 52.86 грн
100+ 31.28 грн
500+ 26.22 грн
1000+ 22.91 грн
2500+ 19.4 грн
5000+ 18.7 грн
Мінімальне замовлення: 6
DMP3021SSS-13 DMP3021SSS-13 Виробник : Diodes Zetex dmp3021sss.pdf P-Channel Enhancement Mode MOSFET
товар відсутній
DMP3021SSS-13 DMP3021SSS-13 Виробник : DIODES INCORPORATED DMP3021SSS.pdf Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -30V; -8.3A; Idm: -128A; 2.5W; SO8
Mounting: SMD
Case: SO8
Power dissipation: 2.5W
Polarisation: unipolar
Kind of package: reel; tape
Gate charge: 34nC
Kind of channel: enhanced
Gate-source voltage: ±25V
Pulsed drain current: -128A
Drain-source voltage: -30V
Drain current: -8.3A
On-state resistance: 25mΩ
Type of transistor: P-MOSFET
кількість в упаковці: 2500 шт
товар відсутній
DMP3021SSS-13 DMP3021SSS-13 Виробник : DIODES INCORPORATED DMP3021SSS.pdf Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -30V; -8.3A; Idm: -128A; 2.5W; SO8
Mounting: SMD
Case: SO8
Power dissipation: 2.5W
Polarisation: unipolar
Kind of package: reel; tape
Gate charge: 34nC
Kind of channel: enhanced
Gate-source voltage: ±25V
Pulsed drain current: -128A
Drain-source voltage: -30V
Drain current: -8.3A
On-state resistance: 25mΩ
Type of transistor: P-MOSFET
товар відсутній