DMP3018SFV-7 Diodes Incorporated
Виробник: Diodes IncorporatedDescription: MOSFET P-CH 30V 11A PWRDI3333
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerVDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 11A (Ta), 35A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 12mOhm @ 11.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 1W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerDI3333-8 (Type UX)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±25V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 51 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2147 pF @ 15 V
на замовлення 222000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 2000+ | 13.1 грн |
| 6000+ | 11.97 грн |
| 10000+ | 11.12 грн |
| 50000+ | 9.93 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис DMP3018SFV-7 Diodes Incorporated
Description: DIODES INC. - DMP3018SFV-7 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 30 V, 11 A, 0.012 ohm, PowerDI3333, Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 30V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 11A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 1W, Bauform - Transistor: PowerDI3333, Anzahl der Pins: 8Pin(s), Produktpalette: Multicomp Pro RJ45 Adapter, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Kanaltyp: p-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.012ohm, SVHC: No SVHC (23-Jan-2024).
Інші пропозиції DMP3018SFV-7 за ціною від 11.71 грн до 42.14 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна без ПДВ | ||||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 |
DMP3018SFV-7 | Виробник : DIODES INC. |
Description: DIODES INC. - DMP3018SFV-7 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 30 V, 11 A, 0.012 ohm, PowerDI3333, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 30V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 11A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V euEccn: NLR Verlustleistung: 1W Bauform - Transistor: PowerDI3333 Anzahl der Pins: 8Pin(s) Produktpalette: Multicomp Pro RJ45 Adapter productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: p-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.012ohm SVHC: No SVHC (23-Jan-2024) |
на замовлення 2295 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
|
|
DMP3018SFV-7 | Виробник : DIODES INC. |
Description: DIODES INC. - DMP3018SFV-7 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 30 V, 11 A, 0.012 ohm, PowerDI3333, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 30V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 11A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V euEccn: NLR Verlustleistung: 1W Bauform - Transistor: PowerDI3333 Anzahl der Pins: 8Pin(s) Produktpalette: Multicomp Pro RJ45 Adapter productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: p-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.012ohm SVHC: No SVHC (23-Jan-2024) |
на замовлення 2295 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
|
|
DMP3018SFV-7 | Виробник : Diodes Incorporated |
Description: MOSFET P-CH 30V 11A PWRDI3333 Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: 8-PowerVDFN Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: P-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 11A (Ta), 35A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 12mOhm @ 11.5A, 10V Power Dissipation (Max): 1W (Ta) Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA Supplier Device Package: PowerDI3333-8 (Type UX) Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Vgs (Max): ±25V Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 51 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2147 pF @ 15 V |
на замовлення 223780 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
 |
DMP3018SFV-7 | Виробник : Diodes Incorporated |
MOSFET MOSFET BVDSS: 25V-30V |
на замовлення 19645 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||
| DMP3018SFV-7 | Виробник : DIODES INCORPORATED |
Category: SMD P channel transistors Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -30V; -9A; Idm: -70A; 1.9W Mounting: SMD Drain-source voltage: -30V Drain current: -9A On-state resistance: 21mΩ Type of transistor: P-MOSFET Power dissipation: 1.9W Polarisation: unipolar Kind of package: reel; tape Gate charge: 51nC Kind of channel: enhanced Gate-source voltage: ±25V Pulsed drain current: -70A Case: PowerDI3333-8 кількість в упаковці: 1 шт |
товар відсутній |
||||||||||||||||
| DMP3018SFV-7 | Виробник : DIODES INCORPORATED |
Category: SMD P channel transistors Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -30V; -9A; Idm: -70A; 1.9W Mounting: SMD Drain-source voltage: -30V Drain current: -9A On-state resistance: 21mΩ Type of transistor: P-MOSFET Power dissipation: 1.9W Polarisation: unipolar Kind of package: reel; tape Gate charge: 51nC Kind of channel: enhanced Gate-source voltage: ±25V Pulsed drain current: -70A Case: PowerDI3333-8 |
товар відсутній |