DMP3007SPS-13 DIODES INC.
Виробник: DIODES INC.Description: DIODES INC. - DMP3007SPS-13 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 30 V, 90 A, 0.0045 ohm, PowerDI 5060, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 90A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 80W
Bauform - Transistor: PowerDI 5060
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: p-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0045ohm
SVHC: Lead (23-Jan-2024)
на замовлення 1900 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 100+ | 32.41 грн |
| 500+ | 25.11 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис DMP3007SPS-13 DIODES INC.
Description: DIODES INC. - DMP3007SPS-13 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 30 V, 90 A, 0.0045 ohm, PowerDI 5060, Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 30V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 90A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 80W, Bauform - Transistor: PowerDI 5060, Anzahl der Pins: 8Pin(s), Produktpalette: -, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Kanaltyp: p-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0045ohm, SVHC: Lead (23-Jan-2024).
Інші пропозиції DMP3007SPS-13 за ціною від 22.7 грн до 69.37 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна без ПДВ | ||||||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
|
|
DMP3007SPS-13 | Виробник : DIODES INC. |
Description: DIODES INC. - DMP3007SPS-13 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 30 V, 90 A, 0.0045 ohm, PowerDI 5060, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 30V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 90A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V euEccn: NLR Verlustleistung: 80W Bauform - Transistor: PowerDI 5060 Anzahl der Pins: 8Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: p-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0045ohm SVHC: Lead (23-Jan-2024) |
на замовлення 1900 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
 |
DMP3007SPS-13 | Виробник : Diodes Incorporated |
MOSFET MOSFET BVDSS: 25V-30V |
на замовлення 4546 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
| DMP3007SPS-13 | Виробник : Diodes Incorporated |
Description: MOSFET P-CH 30V 90A PWRDI5060-8 Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: 8-PowerTDFN Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: P-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 90A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 7mOhm @ 15A, 10V Power Dissipation (Max): 2.7W (Ta) Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA Supplier Device Package: PowerDI5060-8 Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Vgs (Max): ±25V Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 64.2 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2826 pF @ 15 V |
на замовлення 2500 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
|||||||||||||||||
| DMP3007SPS-13 | Виробник : Diodes Incorporated |
Description: MOSFET P-CH 30V 90A PWRDI5060-8 Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: 8-PowerTDFN Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: P-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 90A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 7mOhm @ 15A, 10V Power Dissipation (Max): 2.7W (Ta) Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA Supplier Device Package: PowerDI5060-8 Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Vgs (Max): ±25V Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 64.2 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2826 pF @ 15 V |
на замовлення 2500 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
|||||||||||||||||
 |
DMP3007SPS-13 | Виробник : Diodes Zetex |
Trans MOSFET P-CH 30V 90A 8-Pin PowerDI EP T/R |
товар відсутній |
|||||||||||||||||
 |
DMP3007SPS-13 | Виробник : Diodes Inc |
Trans MOSFET P-CH 30V 90A 8-Pin PowerDI EP T/R |
товар відсутній |
|||||||||||||||||
| DMP3007SPS-13 | Виробник : DIODES INCORPORATED |
Category: SMD P channel transistors Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -30V; -70A; Idm: -160A; 2.7W Type of transistor: P-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: -30V Drain current: -70A Pulsed drain current: -160A Power dissipation: 2.7W Case: PowerDI5060-8 Gate-source voltage: ±25V On-state resistance: 16mΩ Mounting: SMD Gate charge: 64.2nC Kind of package: reel; tape Kind of channel: enhanced кількість в упаковці: 2500 шт |
товар відсутній |
||||||||||||||||||
| DMP3007SPS-13 | Виробник : DIODES INCORPORATED |
Category: SMD P channel transistors Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -30V; -70A; Idm: -160A; 2.7W Type of transistor: P-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: -30V Drain current: -70A Pulsed drain current: -160A Power dissipation: 2.7W Case: PowerDI5060-8 Gate-source voltage: ±25V On-state resistance: 16mΩ Mounting: SMD Gate charge: 64.2nC Kind of package: reel; tape Kind of channel: enhanced |
товар відсутній |