на замовлення 60000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 10000+ | 3.8 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис DMP2200UDW-13 Diodes Zetex
Description: MOSFET 2P-CH 20V 0.9A SOT363, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: 6-TSSOP, SC-88, SOT-363, Mounting Type: Surface Mount, Configuration: 2 P-Channel (Dual), Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), Power - Max: 450mW, Drain to Source Voltage (Vdss): 20V, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 900mA, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 184pF @ 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 260mOhm @ 880mA, 4.5V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 2.1nC @ 4.5V, Vgs(th) (Max) @ Id: 1.2V @ 250µA, Supplier Device Package: SOT-363.
Інші пропозиції DMP2200UDW-13 за ціною від 2.92 грн до 29.44 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна без ПДВ | ||||||||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
|
|
DMP2200UDW-13 | Виробник : Diodes Zetex |
 Trans MOSFET P-CH 20V 0.9A 6-Pin SOT-363 T/R |
на замовлення 30000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||||
 |
DMP2200UDW-13 | Виробник : Diodes Incorporated |
Description: MOSFET 2P-CH 20V 0.9A SOT363 Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: 6-TSSOP, SC-88, SOT-363 Mounting Type: Surface Mount Configuration: 2 P-Channel (Dual) Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) Power - Max: 450mW Drain to Source Voltage (Vdss): 20V Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 900mA Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 184pF @ 10V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 260mOhm @ 880mA, 4.5V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 2.1nC @ 4.5V Vgs(th) (Max) @ Id: 1.2V @ 250µA Supplier Device Package: SOT-363 |
на замовлення 70000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||||
|
|
DMP2200UDW-13 | Виробник : Diodes Zetex |
Trans MOSFET P-CH 20V 0.9A 6-Pin SOT-363 T/R |
на замовлення 9570 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||||
|
|
DMP2200UDW-13 | Виробник : Diodes Zetex |
Trans MOSFET P-CH 20V 0.9A 6-Pin SOT-363 T/R |
на замовлення 9570 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||||
|
|
DMP2200UDW-13 | Виробник : Diodes Incorporated |
Description: MOSFET 2P-CH 20V 0.9A SOT363 Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: 6-TSSOP, SC-88, SOT-363 Mounting Type: Surface Mount Configuration: 2 P-Channel (Dual) Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) Power - Max: 450mW Drain to Source Voltage (Vdss): 20V Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 900mA Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 184pF @ 10V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 260mOhm @ 880mA, 4.5V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 2.1nC @ 4.5V Vgs(th) (Max) @ Id: 1.2V @ 250µA Supplier Device Package: SOT-363 |
на замовлення 72520 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||||
 |
DMP2200UDW-13 | Виробник : Diodes Incorporated |
MOSFET Dual -20V P-Ch FET 260mOhm -4.5V -0.9A |
на замовлення 202624 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||||||
|
|
DMP2200UDW-13 | Виробник : Diodes Zetex |
Trans MOSFET P-CH 20V 0.9A 6-Pin SOT-363 T/R |
товар відсутній |
|||||||||||||||||||
 |
DMP2200UDW-13 | Виробник : Diodes Inc |
Trans MOSFET P-CH 20V 0.9A 6-Pin SOT-363 T/R |
товар відсутній |
|||||||||||||||||||
 |
DMP2200UDW-13 | Виробник : DIODES INCORPORATED |
Category: SMD P channel transistors Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -20V; -700mA; 600mW; SOT363 Case: SOT363 Mounting: SMD Drain-source voltage: -20V Drain current: -0.7A On-state resistance: 1Ω Type of transistor: P-MOSFET Power dissipation: 0.6W Polarisation: unipolar Kind of package: reel; tape Gate charge: 2.1nC Kind of channel: enhanced Gate-source voltage: ±8V кількість в упаковці: 10000 шт |
товар відсутній |
|||||||||||||||||||
|
|
DMP2200UDW-13 | Виробник : DIODES INCORPORATED |
Category: SMD P channel transistors Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -20V; -700mA; 600mW; SOT363 Case: SOT363 Mounting: SMD Drain-source voltage: -20V Drain current: -0.7A On-state resistance: 1Ω Type of transistor: P-MOSFET Power dissipation: 0.6W Polarisation: unipolar Kind of package: reel; tape Gate charge: 2.1nC Kind of channel: enhanced Gate-source voltage: ±8V |
товар відсутній |