DMP21D6UFD-7 Diodes Incorporated
Виробник: Diodes IncorporatedDescription: MOSFET P-CH 20V 600MA 3DFN
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 3-UDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 600mA (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1Ohm @ 100mA, 4.5V
Power Dissipation (Max): 400mW
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA
Supplier Device Package: X1-DFN1212-3
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.2V, 4.5V
Vgs (Max): ±8V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 0.8 nC @ 8 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 46.1 pF @ 10 V
на замовлення 1629000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 3000+ | 2.98 грн |
| 6000+ | 2.74 грн |
| 9000+ | 2.61 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис DMP21D6UFD-7 Diodes Incorporated
Description: DIODES INC. - DMP21D6UFD-7 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 20 V, 600 mA, 0.7 ohm, X1-DFN1212, Oberflächenmontage, tariffCode: 85411000, Transistormontage: Oberflächenmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 20V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 600mA, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 400mW, Bauform - Transistor: X1-DFN1212, Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: -, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Kanaltyp: p-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.7ohm, SVHC: No SVHC (23-Jan-2024).
Інші пропозиції DMP21D6UFD-7 за ціною від 2.92 грн до 28.23 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна без ПДВ | ||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 |
DMP21D6UFD-7 | Виробник : Diodes Zetex |
Trans MOSFET P-CH 20V 0.6A 3-Pin X1-DFN T/R |
на замовлення 1626000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||
 |
DMP21D6UFD-7 | Виробник : DIODES INCORPORATED |
Category: SMD P channel transistors Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -20V; -0.25A; 0.4W; X1-DFN1212-3 Type of transistor: P-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: -20V Drain current: -0.25A Power dissipation: 0.4W Case: X1-DFN1212-3 Gate-source voltage: ±8V On-state resistance: 3Ω Mounting: SMD Kind of package: reel; tape Kind of channel: enhanced Features of semiconductor devices: ESD protected gate |
на замовлення 2880 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||
|
|
DMP21D6UFD-7 | Виробник : DIODES INCORPORATED |
Category: SMD P channel transistors Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -20V; -0.25A; 0.4W; X1-DFN1212-3 Type of transistor: P-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: -20V Drain current: -0.25A Power dissipation: 0.4W Case: X1-DFN1212-3 Gate-source voltage: ±8V On-state resistance: 3Ω Mounting: SMD Kind of package: reel; tape Kind of channel: enhanced Features of semiconductor devices: ESD protected gate кількість в упаковці: 5 шт |
на замовлення 2880 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
|
||||||||||||
|
|
DMP21D6UFD-7 | Виробник : Diodes Incorporated |
Description: MOSFET P-CH 20V 600MA 3DFN Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: 3-UDFN Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: P-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 600mA (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1Ohm @ 100mA, 4.5V Power Dissipation (Max): 400mW Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA Supplier Device Package: X1-DFN1212-3 Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.2V, 4.5V Vgs (Max): ±8V Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 0.8 nC @ 8 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 46.1 pF @ 10 V |
на замовлення 1630162 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||
 |
DMP21D6UFD-7 | Виробник : Diodes Incorporated |
MOSFET MOSFET BVDSS: 8V-24V |
на замовлення 6637 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||
 |
DMP21D6UFD-7 | Виробник : DIODES INC. |
Description: DIODES INC. - DMP21D6UFD-7 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 20 V, 600 mA, 0.7 ohm, X1-DFN1212, Oberflächenmontage tariffCode: 85411000 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 20V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 600mA hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1V euEccn: NLR Verlustleistung: 400mW Bauform - Transistor: X1-DFN1212 Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: p-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.7ohm SVHC: No SVHC (23-Jan-2024) |
на замовлення 2890 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||
|
|
DMP21D6UFD-7 | Виробник : DIODES INC. |
Description: DIODES INC. - DMP21D6UFD-7 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 20 V, 600 mA, 0.7 ohm, X1-DFN1212, Oberflächenmontage tariffCode: 85411000 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 20V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 600mA hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1V euEccn: NLR Verlustleistung: 400mW Bauform - Transistor: X1-DFN1212 Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: p-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.7ohm SVHC: No SVHC (23-Jan-2024) |
на замовлення 2890 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||
|
|
DMP21D6UFD-7 | Виробник : Diodes Zetex |
Trans MOSFET P-CH 20V 0.6A 3-Pin X1-DFN T/R |
товар відсутній |
|||||||||||||
|
|
DMP21D6UFD-7 | Виробник : Diodes Zetex |
Trans MOSFET P-CH 20V 0.6A 3-Pin X1-DFN T/R |
товар відсутній |
|||||||||||||
 |
DMP21D6UFD-7 | Виробник : Diodes Inc |
Trans MOSFET P-CH 20V 0.6A 3-Pin X1-DFN T/R |
товар відсутній |