DMP2160UFDB-7

DMP2160UFDB-7 Diodes Incorporated


DMP2160UFDB.pdf Виробник: Diodes Incorporated
Description: MOSFET 2P-CH 20V 3.8A 6UDFN
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 6-UDFN Exposed Pad
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 P-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 1.4W
Drain to Source Voltage (Vdss): 20V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3.8A
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 536pF @ 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 70mOhm @ 2.8A, 4.5V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 6.5nC @ 4.5V
FET Feature: Logic Level Gate
Vgs(th) (Max) @ Id: 900mV @ 250µA
Supplier Device Package: U-DFN2020-6 (Type B)
на замовлення 426000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
3000+9.15 грн
Мінімальне замовлення: 3000
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис DMP2160UFDB-7 Diodes Incorporated

Description: DIODES INC. - DMP2160UFDB-7 - Dual-MOSFET, p-Kanal, 20 V, 20 V, 3.8 A, 3.8 A, 0.054 ohm, tariffCode: 85411000, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 3.8A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 20V, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, usEccn: EAR99, Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 3.8A, Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 0.054ohm, Verlustleistung, p-Kanal: 1.4W, Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 20V, euEccn: NLR, Bauform - Transistor: UDFN2020, Anzahl der Pins: 6Pin(s), Produktpalette: -, Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.054ohm, productTraceability: No, Kanaltyp: p-Kanal, Verlustleistung, n-Kanal: 1.4W, Betriebstemperatur, max.: 150°C, SVHC: No SVHC (23-Jan-2024).

Інші пропозиції DMP2160UFDB-7 за ціною від 8.27 грн до 28.58 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна без ПДВ
DMP2160UFDB-7 DMP2160UFDB-7 Виробник : Diodes Zetex 35790041910247720ds31643.pdf Trans MOSFET P-CH 20V 3.8A 6-Pin DFN T/R
на замовлення 360000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
3000+10.65 грн
Мінімальне замовлення: 3000
DMP2160UFDB-7 DMP2160UFDB-7 Виробник : DIODES INC. DIOD-S-A0004135367-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: DIODES INC. - DMP2160UFDB-7 - Dual-MOSFET, p-Kanal, 20 V, 20 V, 3.8 A, 3.8 A, 0.054 ohm
tariffCode: 85411000
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 3.8A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 20V
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 3.8A
Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 0.054ohm
Verlustleistung, p-Kanal: 1.4W
Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 20V
euEccn: NLR
Bauform - Transistor: UDFN2020
Anzahl der Pins: 6Pin(s)
Produktpalette: -
Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.054ohm
productTraceability: No
Kanaltyp: p-Kanal
Verlustleistung, n-Kanal: 1.4W
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
на замовлення 4925 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
100+14.65 грн
500+ 10.61 грн
1000+ 9.32 грн
Мінімальне замовлення: 100
DMP2160UFDB-7 DMP2160UFDB-7 Виробник : Diodes Incorporated DMP2160UFDB.pdf Description: MOSFET 2P-CH 20V 3.8A 6UDFN
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 6-UDFN Exposed Pad
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 P-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 1.4W
Drain to Source Voltage (Vdss): 20V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3.8A
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 536pF @ 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 70mOhm @ 2.8A, 4.5V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 6.5nC @ 4.5V
FET Feature: Logic Level Gate
Vgs(th) (Max) @ Id: 900mV @ 250µA
Supplier Device Package: U-DFN2020-6 (Type B)
на замовлення 429233 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
14+23.29 грн
16+ 18.76 грн
100+ 13.01 грн
500+ 9.54 грн
1000+ 8.27 грн
Мінімальне замовлення: 14
DMP2160UFDB-7 DMP2160UFDB-7 Виробник : DIODES INC. DIOD-S-A0004135367-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: DIODES INC. - DMP2160UFDB-7 - Dual-MOSFET, p-Kanal, 20 V, 20 V, 3.8 A, 3.8 A, 0.054 ohm
tariffCode: 85411000
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 3.8A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 20V
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 3.8A
Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 0.054ohm
Verlustleistung, p-Kanal: 1.4W
Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 20V
euEccn: NLR
Bauform - Transistor: UDFN2020
Anzahl der Pins: 6Pin(s)
Produktpalette: -
Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.054ohm
productTraceability: No
Kanaltyp: p-Kanal
Verlustleistung, n-Kanal: 1.4W
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
на замовлення 4925 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
29+28.58 грн
34+ 23.75 грн
100+ 14.65 грн
500+ 10.61 грн
1000+ 9.32 грн
Мінімальне замовлення: 29
DMP2160UFDB-7
Код товару: 178275
DMP2160UFDB.pdf Мікросхеми > Драйвери транзисторів
товар відсутній
DMP2160UFDB-7 DMP2160UFDB-7 Виробник : Diodes Zetex 35790041910247720ds31643.pdf Trans MOSFET P-CH 20V 3.8A 6-Pin DFN T/R
товар відсутній
DMP2160UFDB-7 DMP2160UFDB-7 Виробник : Diodes Zetex 35790041910247720ds31643.pdf Trans MOSFET P-CH 20V 3.8A 6-Pin DFN T/R
товар відсутній
DMP2160UFDB-7 DMP2160UFDB-7 Виробник : Diodes Zetex 35790041910247720ds31643.pdf Trans MOSFET P-CH 20V 3.8A 6-Pin DFN T/R
товар відсутній
DMP2160UFDB-7 DMP2160UFDB-7 Виробник : Diodes Inc 35790041910247720ds31643.pdf Trans MOSFET P-CH 20V 3.8A 6-Pin DFN T/R
товар відсутній
DMP2160UFDB-7 Виробник : DIODES INCORPORATED DMP2160UFDB.pdf Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -20V; -3.8A; Idm: -13A; 1.4W
Type of transistor: P-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -20V
Drain current: -3.8A
Pulsed drain current: -13A
Power dissipation: 1.4W
Case: U-DFN2020-6
Gate-source voltage: ±12V
On-state resistance: 86mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 6.5nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhanced
кількість в упаковці: 1 шт
товар відсутній
DMP2160UFDB-7 DMP2160UFDB-7 Виробник : Diodes Incorporated DMP2160UFDB.pdf MOSFET 20V 3.8A DUAL P-CHAN
товар відсутній
DMP2160UFDB-7 Виробник : DIODES INCORPORATED DMP2160UFDB.pdf Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -20V; -3.8A; Idm: -13A; 1.4W
Type of transistor: P-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -20V
Drain current: -3.8A
Pulsed drain current: -13A
Power dissipation: 1.4W
Case: U-DFN2020-6
Gate-source voltage: ±12V
On-state resistance: 86mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 6.5nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhanced
товар відсутній