DMP2123LQ-7 Diodes Zetex
на замовлення 57000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 3000+ | 4.92 грн |
| 6000+ | 4.87 грн |
| 9000+ | 4.7 грн |
| 30000+ | 4.47 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис DMP2123LQ-7 Diodes Zetex
Description: DIODES INC. - DMP2123LQ-7 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 20 V, 3 A, 0.051 ohm, SOT-23, Oberflächenmontage, tariffCode: 85412100, Transistormontage: Oberflächenmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 20V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 3A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: AEC-Q101, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.25V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 1.4W, Bauform - Transistor: SOT-23, Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: -, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Kanaltyp: p-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.051ohm, SVHC: No SVHC (23-Jan-2024).
Інші пропозиції DMP2123LQ-7 за ціною від 4.99 грн до 41.24 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна без ПДВ | ||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
|
|
DMP2123LQ-7 | Виробник : Diodes Zetex |
 Trans MOSFET P-CH 20V 3A Automotive AEC-Q101 3-Pin SOT-23 T/R |
на замовлення 57000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||
|
|
DMP2123LQ-7 | Виробник : Diodes Zetex |
Trans MOSFET P-CH 20V 3A Automotive AEC-Q101 3-Pin SOT-23 T/R |
на замовлення 309000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||
|
|
DMP2123LQ-7 | Виробник : Diodes Zetex |
Trans MOSFET P-CH 20V 3A Automotive AEC-Q101 3-Pin SOT-23 T/R |
на замовлення 96000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||
 |
DMP2123LQ-7 | Виробник : Diodes Incorporated |
Description: MOSFET P-CH 20V 3A SOT23 Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: P-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3A (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 72mOhm @ 3.5A, 4.5V Power Dissipation (Max): 1.4W (Ta) Vgs(th) (Max) @ Id: 1.25V @ 250µA Supplier Device Package: SOT-23-3 Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 4.5V Vgs (Max): ±12V Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 7.3 nC @ 4.5 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 443 pF @ 16 V |
на замовлення 702000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||
 |
DMP2123LQ-7 | Виробник : DIODES INC. |
Description: DIODES INC. - DMP2123LQ-7 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 20 V, 3 A, 0.051 ohm, SOT-23, Oberflächenmontage tariffCode: 85412100 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 20V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 3A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: AEC-Q101 usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.25V euEccn: NLR Verlustleistung: 1.4W Bauform - Transistor: SOT-23 Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: p-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.051ohm SVHC: No SVHC (23-Jan-2024) |
на замовлення 3000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||
|
|
DMP2123LQ-7 | Виробник : Diodes Incorporated |
Description: MOSFET P-CH 20V 3A SOT23 Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: P-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3A (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 72mOhm @ 3.5A, 4.5V Power Dissipation (Max): 1.4W (Ta) Vgs(th) (Max) @ Id: 1.25V @ 250µA Supplier Device Package: SOT-23-3 Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 4.5V Vgs (Max): ±12V Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 7.3 nC @ 4.5 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 443 pF @ 16 V |
на замовлення 705563 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||
 |
DMP2123LQ-7 | Виробник : Diodes Incorporated |
MOSFET P-Ch -20V Enh FET 12Vgss -15A 1.4W |
на замовлення 4999 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||
|
|
DMP2123LQ-7 | Виробник : DIODES INC. |
Description: DIODES INC. - DMP2123LQ-7 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 20 V, 3 A, 0.051 ohm, SOT-23, Oberflächenmontage tariffCode: 85412100 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 20V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 3A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: AEC-Q101 usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.25V euEccn: NLR Verlustleistung: 1.4W Bauform - Transistor: SOT-23 Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: p-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.051ohm SVHC: No SVHC (23-Jan-2024) |
на замовлення 3000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||
|
|
DMP2123LQ-7 | Виробник : Diodes Zetex |
Trans MOSFET P-CH 20V 3A Automotive AEC-Q101 3-Pin SOT-23 T/R |
товар відсутній |
|||||||||||||
 |
DMP2123LQ-7 | Виробник : Diodes Inc |
Trans MOSFET P-CH 20V 3A Automotive 3-Pin SOT-23 T/R |
товар відсутній |
|||||||||||||
 |
DMP2123LQ-7 | Виробник : DIODES INCORPORATED |
Category: SMD P channel transistors Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -20V; -2.4A; Idm: -15A; 1.4W; SOT23 Type of transistor: P-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: -20V Drain current: -2.4A Pulsed drain current: -15A Power dissipation: 1.4W Case: SOT23 Gate-source voltage: ±12V On-state resistance: 123mΩ Mounting: SMD Gate charge: 7.3nC Kind of package: reel; tape Kind of channel: enhanced Application: automotive industry кількість в упаковці: 1 шт |
товар відсутній |
|||||||||||||
|
|
DMP2123LQ-7 | Виробник : DIODES INCORPORATED |
Category: SMD P channel transistors Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -20V; -2.4A; Idm: -15A; 1.4W; SOT23 Type of transistor: P-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: -20V Drain current: -2.4A Pulsed drain current: -15A Power dissipation: 1.4W Case: SOT23 Gate-source voltage: ±12V On-state resistance: 123mΩ Mounting: SMD Gate charge: 7.3nC Kind of package: reel; tape Kind of channel: enhanced Application: automotive industry |
товар відсутній |