DMP2110UW-7

DMP2110UW-7 Diodes Zetex


dmp2110uw.pdf Виробник: Diodes Zetex
Trans MOSFET P-CH 20V 2A 3-Pin SOT-323 T/R
на замовлення 312000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
3000+4.13 грн
Мінімальне замовлення: 3000
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис DMP2110UW-7 Diodes Zetex

Description: DIODES INC. - DMP2110UW-7 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 20 V, 2 A, 0.063 ohm, SOT-323, Oberflächenmontage, tariffCode: 85412100, Transistormontage: Oberflächenmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 20V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 2A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 900mV, euEccn: NLR, Verlustleistung: 490mW, Bauform - Transistor: SOT-323, Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: -, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Kanaltyp: p-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.063ohm, SVHC: No SVHC (23-Jan-2024).

Інші пропозиції DMP2110UW-7 за ціною від 3.26 грн до 37.85 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна без ПДВ
DMP2110UW-7 DMP2110UW-7 Виробник : Diodes Incorporated DMP2110UW.pdf Description: MOSFET P-CH 20V 2A SOT323
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SC-70, SOT-323
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 100mOhm @ 1.5A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 490mW
Vgs(th) (Max) @ Id: 900mV @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-323
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.8V, 4.5V
Vgs (Max): ±12V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 6 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 443 pF @ 6 V
на замовлення 225000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
3000+5.45 грн
6000+ 5.02 грн
9000+ 4.34 грн
30000+ 4 грн
75000+ 3.31 грн
150000+ 3.26 грн
Мінімальне замовлення: 3000
DMP2110UW-7 DMP2110UW-7 Виробник : DIODES INC. DIOD-S-A0013315951-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: DIODES INC. - DMP2110UW-7 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 20 V, 2 A, 0.063 ohm, SOT-323, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 20V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 2A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 900mV
euEccn: NLR
Verlustleistung: 490mW
Bauform - Transistor: SOT-323
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: p-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.063ohm
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
на замовлення 1925 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
100+9.86 грн
500+ 7.18 грн
1000+ 4.8 грн
Мінімальне замовлення: 100
DMP2110UW-7 DMP2110UW-7 Виробник : Diodes Incorporated DMP2110UW.pdf Description: MOSFET P-CH 20V 2A SOT323
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SC-70, SOT-323
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 100mOhm @ 1.5A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 490mW
Vgs(th) (Max) @ Id: 900mV @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-323
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.8V, 4.5V
Vgs (Max): ±12V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 6 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 443 pF @ 6 V
на замовлення 227882 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
10+30.41 грн
15+ 20.43 грн
100+ 10.32 грн
500+ 7.89 грн
1000+ 5.86 грн
Мінімальне замовлення: 10
DMP2110UW-7 DMP2110UW-7 Виробник : Diodes Incorporated DIOD_S_A0012956511_1-2543989.pdf MOSFET MOSFET BVDSS: 8V~24V SOT323 T&R 3K
на замовлення 5994 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
10+34.36 грн
14+ 23.44 грн
100+ 8.43 грн
1000+ 6.26 грн
3000+ 4.99 грн
9000+ 4.29 грн
24000+ 4.08 грн
Мінімальне замовлення: 10
DMP2110UW-7 DMP2110UW-7 Виробник : DIODES INC. DIOD-S-A0013315951-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: DIODES INC. - DMP2110UW-7 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 20 V, 2 A, 0.063 ohm, SOT-323, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 20V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 2A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 900mV
euEccn: NLR
Verlustleistung: 490mW
Bauform - Transistor: SOT-323
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: p-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.063ohm
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
на замовлення 1925 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
21+37.85 грн
31+ 25.7 грн
100+ 9.86 грн
500+ 7.18 грн
1000+ 4.8 грн
Мінімальне замовлення: 21
DMP2110UW-7 DMP2110UW-7 Виробник : Diodes Inc dmp2110uw.pdf Trans MOSFET P-CH 20V 2A 3-Pin SOT-323 T/R
товар відсутній
DMP2110UW-7 DMP2110UW-7 Виробник : Diodes Zetex dmp2110uw.pdf Trans MOSFET P-CH 20V 2A 3-Pin SOT-323 T/R
товар відсутній
DMP2110UW-7 DMP2110UW-7 Виробник : DIODES INCORPORATED DMP2110UW.pdf Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -20V; -1.6A; Idm: -15A; 650mW
Mounting: SMD
Power dissipation: 0.65W
Polarisation: unipolar
Kind of package: reel; tape
Case: SOT323
Gate charge: 6nC
Kind of channel: enhanced
Gate-source voltage: ±12V
Pulsed drain current: -15A
Drain-source voltage: -20V
Drain current: -1.6A
On-state resistance: 0.16Ω
Type of transistor: P-MOSFET
кількість в упаковці: 1 шт
товар відсутній
DMP2110UW-7 DMP2110UW-7 Виробник : DIODES INCORPORATED DMP2110UW.pdf Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -20V; -1.6A; Idm: -15A; 650mW
Mounting: SMD
Power dissipation: 0.65W
Polarisation: unipolar
Kind of package: reel; tape
Case: SOT323
Gate charge: 6nC
Kind of channel: enhanced
Gate-source voltage: ±12V
Pulsed drain current: -15A
Drain-source voltage: -20V
Drain current: -1.6A
On-state resistance: 0.16Ω
Type of transistor: P-MOSFET
товар відсутній