![DMP2110UVT-13 DMP2110UVT-13](https://static6.arrow.com/aropdfconversion/arrowimages/352d9fd99fa912ce41a654ee5f98a99556c924fe/tsot26.jpg)
на замовлення 10000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
10000+ | 5.3 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис DMP2110UVT-13 Diodes Zetex
Description: MOSFET 2P-CH 20V 1.8A TSOT26, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6, Mounting Type: Surface Mount, Configuration: 2 P-Channel (Dual), Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), Power - Max: 740mW (Ta), Drain to Source Voltage (Vdss): 20V, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 1.8A (Ta), Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 443pF @ 6V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 150mOhm @ 2.8A, 4.5V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 6nC @ 4.5V, Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA, Supplier Device Package: TSOT-26.
Інші пропозиції DMP2110UVT-13 за ціною від 5.79 грн до 5.79 грн
Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна без ПДВ | ||||
---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
|
DMP2110UVT-13 | Виробник : Diodes Incorporated |
![]() Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6 Mounting Type: Surface Mount Configuration: 2 P-Channel (Dual) Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) Power - Max: 740mW (Ta) Drain to Source Voltage (Vdss): 20V Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 1.8A (Ta) Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 443pF @ 6V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 150mOhm @ 2.8A, 4.5V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 6nC @ 4.5V Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA Supplier Device Package: TSOT-26 |
на замовлення 10000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||
DMP2110UVT-13 | Виробник : Diodes Inc |
![]() |
товар відсутній |
||||||
![]() |
DMP2110UVT-13 | Виробник : Diodes Zetex |
![]() |
товар відсутній |
|||||
![]() |
DMP2110UVT-13 | Виробник : DIODES INCORPORATED |
![]() Description: Transistor: P-MOSFET x2; unipolar; -20V; -1.4A; Idm: -15A; 740mW Mounting: SMD Power dissipation: 0.74W Polarisation: unipolar Kind of package: reel; tape Case: TSOT26 Gate charge: 6nC Kind of channel: enhanced Gate-source voltage: ±10V Pulsed drain current: -15A Drain-source voltage: -20V Drain current: -1.4A On-state resistance: 0.24Ω Type of transistor: P-MOSFET x2 кількість в упаковці: 10000 шт |
товар відсутній |
|||||
![]() |
DMP2110UVT-13 | Виробник : Diodes Incorporated |
![]() |
товар відсутній |
|||||
![]() |
DMP2110UVT-13 | Виробник : DIODES INCORPORATED |
![]() Description: Transistor: P-MOSFET x2; unipolar; -20V; -1.4A; Idm: -15A; 740mW Mounting: SMD Power dissipation: 0.74W Polarisation: unipolar Kind of package: reel; tape Case: TSOT26 Gate charge: 6nC Kind of channel: enhanced Gate-source voltage: ±10V Pulsed drain current: -15A Drain-source voltage: -20V Drain current: -1.4A On-state resistance: 0.24Ω Type of transistor: P-MOSFET x2 |
товар відсутній |