на замовлення 9000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 3000+ | 5.06 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис DMP2045UFY4-7 Diodes Inc
Description: MOSFET P-CH 20V 4.7A X2-DFN2015, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: 3-XDFN, Mounting Type: Surface Mount, Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), FET Type: P-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4.7A (Ta), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 45mOhm @ 4A, 4.5V, Power Dissipation (Max): 670mW (Ta), Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA, Supplier Device Package: X2-DFN2015-3, Part Status: Active, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.5V, 4.5V, Vgs (Max): ±8V, Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 6.8 nC @ 4.5 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 634 pF @ 10 V.
Інші пропозиції DMP2045UFY4-7 за ціною від 4.99 грн до 27.74 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна без ПДВ | ||||||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 |
DMP2045UFY4-7 | Виробник : Diodes Incorporated |
 Description: MOSFET P-CH 20V 4.7A X2-DFN2015Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: 3-XDFN Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: P-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4.7A (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 45mOhm @ 4A, 4.5V Power Dissipation (Max): 670mW (Ta) Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA Supplier Device Package: X2-DFN2015-3 Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.5V, 4.5V Vgs (Max): ±8V Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 6.8 nC @ 4.5 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 634 pF @ 10 V |
на замовлення 891000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
|
DMP2045UFY4-7 | Виробник : Diodes Incorporated |
Description: MOSFET P-CH 20V 4.7A X2-DFN2015 Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: 3-XDFN Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: P-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4.7A (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 45mOhm @ 4A, 4.5V Power Dissipation (Max): 670mW (Ta) Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA Supplier Device Package: X2-DFN2015-3 Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.5V, 4.5V Vgs (Max): ±8V Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 6.8 nC @ 4.5 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 634 pF @ 10 V |
на замовлення 893884 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
 |
DMP2045UFY4-7 | Виробник : Diodes Incorporated |
MOSFETs MOSFET BVDSS: 8V-24V X2-DFN2015-3 T&R 3K |
на замовлення 28069 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
| DMP2045UFY4-7 | Виробник : DIODES INCORPORATED |
DMP2045UFY4-7 SMD P channel transistors |
товару немає в наявності |
||||||||||||||||||
 |
DMP2045UFY4-7 | Виробник : Diodes Zetex |
Trans MOSFET P-CH 20V 4.7A 3-Pin X2-DFN T/R |
товару немає в наявності |
|||||||||||||||||
|
|
DMP2045UFY4-7 | Виробник : Diodes Zetex |
Trans MOSFET P-CH 20V 4.7A 3-Pin X2-DFN T/R |
товару немає в наявності |