![DMP2021UFDF-7 DMP2021UFDF-7](https://mm.digikey.com/Volume0/opasdata/d220001/medias/images/2517/31%3B%20U-DFN2020-6%3B%20F%3B%206.jpg)
DMP2021UFDF-7 Diodes Incorporated
![DMP2021UFDF.pdf](/images/adobe-acrobat.png)
Description: MOSFET P-CH 20V 9A 6UDFN
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 6-UDFN Exposed Pad
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 9A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 16mOhm @ 7A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 730mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA
Supplier Device Package: U-DFN2020-6 (Type F)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.5V, 4.5V
Vgs (Max): ±8V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 59 nC @ 8 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2760 pF @ 15 V
на замовлення 297000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
3000+ | 17.12 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис DMP2021UFDF-7 Diodes Incorporated
Description: MOSFET P-CH 20V 9A 6UDFN, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: 6-UDFN Exposed Pad, Mounting Type: Surface Mount, Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), FET Type: P-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 9A (Ta), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 16mOhm @ 7A, 4.5V, Power Dissipation (Max): 730mW (Ta), Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA, Supplier Device Package: U-DFN2020-6 (Type F), Part Status: Active, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.5V, 4.5V, Vgs (Max): ±8V, Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 59 nC @ 8 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2760 pF @ 15 V.
Інші пропозиції DMP2021UFDF-7 за ціною від 14.61 грн до 53.29 грн
Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна без ПДВ | ||||||||||||||||
---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
![]() |
DMP2021UFDF-7 | Виробник : Diodes Zetex |
![]() |
на замовлення 60000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
![]() |
DMP2021UFDF-7 | Виробник : Diodes Incorporated |
![]() Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: 6-UDFN Exposed Pad Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: P-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 9A (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 16mOhm @ 7A, 4.5V Power Dissipation (Max): 730mW (Ta) Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA Supplier Device Package: U-DFN2020-6 (Type F) Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.5V, 4.5V Vgs (Max): ±8V Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 59 nC @ 8 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2760 pF @ 15 V |
на замовлення 300207 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
![]() |
DMP2021UFDF-7 | Виробник : Diodes Incorporated |
![]() |
на замовлення 5277 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
![]() |
DMP2021UFDF-7 | Виробник : Diodes Zetex |
![]() |
на замовлення 2596 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
![]() |
DMP2021UFDF-7 | Виробник : Diodes Zetex |
![]() |
на замовлення 2596 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
![]() |
DMP2021UFDF-7 | Виробник : Diodes Inc |
![]() |
товар відсутній |
|||||||||||||||||
DMP2021UFDF-7 | Виробник : DIODES INCORPORATED |
![]() Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -20V; -7.2A; Idm: -60A; 0.47W Case: U-DFN2020-6 Mounting: SMD Kind of package: reel; tape Drain-source voltage: -20V Drain current: -7.2A On-state resistance: 80mΩ Type of transistor: P-MOSFET Power dissipation: 0.47W Polarisation: unipolar Gate charge: 59nC Kind of channel: enhanced Gate-source voltage: ±8V Pulsed drain current: -60A кількість в упаковці: 1 шт |
товар відсутній |
||||||||||||||||||
DMP2021UFDF-7 | Виробник : DIODES INCORPORATED |
![]() Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -20V; -7.2A; Idm: -60A; 0.47W Case: U-DFN2020-6 Mounting: SMD Kind of package: reel; tape Drain-source voltage: -20V Drain current: -7.2A On-state resistance: 80mΩ Type of transistor: P-MOSFET Power dissipation: 0.47W Polarisation: unipolar Gate charge: 59nC Kind of channel: enhanced Gate-source voltage: ±8V Pulsed drain current: -60A |
товар відсутній |