на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 3000+ | 13.96 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис DMP2008UFG-13 Diodes Zetex
Description: DIODES INC. - DMP2008UFG-13 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 20 V, 54 A, 0.008 ohm, PowerDI 3333, Oberflächenmontage, tariffCode: 85411000, Transistormontage: Oberflächenmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 20V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 54A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 41W, Bauform - Transistor: PowerDI 3333, Anzahl der Pins: 8Pin(s), Produktpalette: -, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Kanaltyp: p-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.008ohm, SVHC: No SVHC (23-Jan-2024).
Інші пропозиції DMP2008UFG-13 за ціною від 12.62 грн до 51.67 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна без ПДВ | ||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
|
|
DMP2008UFG-13 | Виробник : Diodes Zetex |
 Trans MOSFET P-CH 20V 14A 8-Pin PowerDI EP T/R |
на замовлення 36000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||
|
|
DMP2008UFG-13 | Виробник : Diodes Zetex |
Trans MOSFET P-CH 20V 14A 8-Pin PowerDI EP T/R |
на замовлення 3000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||
 |
DMP2008UFG-13 | Виробник : DIODES INC. |
Description: DIODES INC. - DMP2008UFG-13 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 20 V, 54 A, 0.008 ohm, PowerDI 3333, Oberflächenmontage tariffCode: 85411000 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 20V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 54A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1V euEccn: NLR Verlustleistung: 41W Bauform - Transistor: PowerDI 3333 Anzahl der Pins: 8Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: p-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.008ohm SVHC: No SVHC (23-Jan-2024) |
на замовлення 2980 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||
|
|
DMP2008UFG-13 | Виробник : DIODES INC. |
Description: DIODES INC. - DMP2008UFG-13 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 20 V, 54 A, 0.008 ohm, PowerDI 3333, Oberflächenmontage tariffCode: 85411000 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 20V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 54A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1V euEccn: NLR Verlustleistung: 41W Bauform - Transistor: PowerDI 3333 Anzahl der Pins: 8Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: p-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.008ohm SVHC: No SVHC (23-Jan-2024) |
на замовлення 2980 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||
 |
DMP2008UFG-13 | Виробник : Diodes Inc |
Trans MOSFET P-CH 20V 14A 8-Pin PowerDI EP T/R |
товару немає в наявності |
|||||||||||||
|
|
DMP2008UFG-13 | Виробник : Diodes Zetex |
Trans MOSFET P-CH 20V 14A 8-Pin PowerDI EP T/R |
товару немає в наявності |
|||||||||||||
| DMP2008UFG-13 | Виробник : DIODES INCORPORATED |
DMP2008UFG-13 SMD P channel transistors |
товару немає в наявності |
||||||||||||||
 |
DMP2008UFG-13 | Виробник : Diodes Incorporated |
Description: MOSFET P-CH 20V 14A PWRDI3333 |
товару немає в наявності |
|||||||||||||
|
|
DMP2008UFG-13 | Виробник : Diodes Incorporated |
Description: MOSFET P-CH 20V 14A PWRDI3333 |
товару немає в наявності |
|||||||||||||
 |
DMP2008UFG-13 | Виробник : Diodes Incorporated |
MOSFET 20V P-CH MOSFET |
товару немає в наявності |