DMP1009UFDF-7 Diodes Incorporated
Виробник: Diodes IncorporatedDescription: MOSFET P-CH 12V 15A 6UDFN
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 6-UDFN Exposed Pad
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 15A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 11mOhm @ 5A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 2W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA
Supplier Device Package: U-DFN2020-6 (Type F)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.8V, 4.5V
Vgs (Max): ±8V
Drain to Source Voltage (Vdss): 12 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 44 nC @ 8 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1860 pF @ 10 V
на замовлення 18000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 3000+ | 9.14 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис DMP1009UFDF-7 Diodes Incorporated
Description: DIODES INC. - DMP1009UFDF-7 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 12 V, 11 A, 0.0083 ohm, U-DFN2020, Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 12V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 11A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 2W, Bauform - Transistor: U-DFN2020, Anzahl der Pins: 6Pins, Produktpalette: -, productTraceability: No, Kanaltyp: p-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0083ohm, SVHC: No SVHC (15-Jan-2018).
Інші пропозиції DMP1009UFDF-7 за ціною від 7.87 грн до 38.8 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна без ПДВ | ||||||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 |
DMP1009UFDF-7 | Виробник : Diodes Zetex |
Trans MOSFET P-CH 12V 11A 6-Pin UDFN EP T/R |
на замовлення 3000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
|
DMP1009UFDF-7 | Виробник : Diodes Zetex |
Trans MOSFET P-CH 12V 11A 6-Pin UDFN EP T/R |
на замовлення 21000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
|
DMP1009UFDF-7 | Виробник : Diodes Zetex |
Trans MOSFET P-CH 12V 11A 6-Pin UDFN EP T/R |
на замовлення 3000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
 |
DMP1009UFDF-7 | Виробник : DIODES INC. |
Description: DIODES INC. - DMP1009UFDF-7 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 12 V, 11 A, 0.0083 ohm, U-DFN2020, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 12V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 11A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1V euEccn: NLR Verlustleistung: 2W Bauform - Transistor: U-DFN2020 Anzahl der Pins: 6Pins Produktpalette: - productTraceability: No Kanaltyp: p-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0083ohm SVHC: No SVHC (15-Jan-2018) |
на замовлення 5910 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
|
DMP1009UFDF-7 | Виробник : Diodes Zetex |
Trans MOSFET P-CH 12V 11A 6-Pin UDFN EP T/R |
на замовлення 1355 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
|
DMP1009UFDF-7 | Виробник : Diodes Incorporated |
Description: MOSFET P-CH 12V 15A 6UDFN Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: 6-UDFN Exposed Pad Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: P-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 15A (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 11mOhm @ 5A, 4.5V Power Dissipation (Max): 2W (Ta) Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA Supplier Device Package: U-DFN2020-6 (Type F) Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.8V, 4.5V Vgs (Max): ±8V Drain to Source Voltage (Vdss): 12 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 44 nC @ 8 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1860 pF @ 10 V |
на замовлення 19904 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
|
DMP1009UFDF-7 | Виробник : Diodes Zetex |
Trans MOSFET P-CH 12V 11A 6-Pin UDFN EP T/R |
на замовлення 1355 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
 |
DMP1009UFDF-7 | Виробник : Diodes Incorporated |
MOSFETs MOSFETBVDSS: 8V-24V |
на замовлення 29680 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
|
DMP1009UFDF-7 | Виробник : DIODES INC. |
Description: DIODES INC. - DMP1009UFDF-7 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 12 V, 11 A, 0.0083 ohm, U-DFN2020, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 12V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 11A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1V euEccn: NLR Verlustleistung: 2W Bauform - Transistor: U-DFN2020 Anzahl der Pins: 6Pins Produktpalette: - productTraceability: No Kanaltyp: p-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0083ohm SVHC: No SVHC (15-Jan-2018) |
на замовлення 5910 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
 |
DMP1009UFDF-7 | Виробник : Diodes Inc |
Trans MOSFET P-CH 12V 11A 6-Pin UDFN EP T/R |
товар відсутній |
|||||||||||||||||
| DMP1009UFDF-7 | Виробник : DIODES INCORPORATED |
Category: SMD P channel transistors Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -12V; -12A; Idm: -70A; 2W Mounting: SMD Drain-source voltage: -12V Drain current: -12A On-state resistance: 30mΩ Type of transistor: P-MOSFET Power dissipation: 2W Polarisation: unipolar Kind of package: reel; tape Gate charge: 44nC Gate-source voltage: ±8V Pulsed drain current: -70A Kind of channel: enhanced Case: U-DFN2020-6 кількість в упаковці: 1 шт |
товар відсутній |
||||||||||||||||||
| DMP1009UFDF-7 | Виробник : DIODES INCORPORATED |
Category: SMD P channel transistors Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -12V; -12A; Idm: -70A; 2W Mounting: SMD Drain-source voltage: -12V Drain current: -12A On-state resistance: 30mΩ Type of transistor: P-MOSFET Power dissipation: 2W Polarisation: unipolar Kind of package: reel; tape Gate charge: 44nC Gate-source voltage: ±8V Pulsed drain current: -70A Kind of channel: enhanced Case: U-DFN2020-6 |
товар відсутній |