DMNH6021SPSQ-13 DIODES INC.
Виробник: DIODES INC.Description: DIODES INC. - DMNH6021SPSQ-13 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 55 A, 0.012 ohm, PowerDI 5060, Oberflächenmontage
tariffCode: 85411000
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 55A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 53W
Bauform - Transistor: PowerDI 5060
Anzahl der Pins: 8Pins
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.012ohm
SVHC: Lead (23-Jan-2024)
на замовлення 5010 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 100+ | 35.19 грн |
| 500+ | 27.28 грн |
| 1000+ | 23.13 грн |
| 5000+ | 23.07 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис DMNH6021SPSQ-13 DIODES INC.
Description: DIODES INC. - DMNH6021SPSQ-13 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 55 A, 0.012 ohm, PowerDI 5060, Oberflächenmontage, tariffCode: 85411000, Transistormontage: Oberflächenmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 60V, rohsCompliant: Y-EX, Dauer-Drainstrom Id: 55A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: AEC-Q101, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 53W, Bauform - Transistor: PowerDI 5060, Anzahl der Pins: 8Pins, Produktpalette: -, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Kanaltyp: n-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Betriebstemperatur, max.: 175°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.012ohm, SVHC: Lead (23-Jan-2024).
Інші пропозиції DMNH6021SPSQ-13 за ціною від 23.07 грн до 71.21 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна без ПДВ | ||||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
|
|
DMNH6021SPSQ-13 | Виробник : DIODES INC. |
Description: DIODES INC. - DMNH6021SPSQ-13 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 55 A, 0.012 ohm, PowerDI 5060, Oberflächenmontage tariffCode: 85411000 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 60V rohsCompliant: Y-EX Dauer-Drainstrom Id: 55A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: AEC-Q101 usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V euEccn: NLR Verlustleistung: 53W Bauform - Transistor: PowerDI 5060 Anzahl der Pins: 8Pins Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 175°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.012ohm SVHC: Lead (23-Jan-2024) |
на замовлення 5010 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
 |
DMNH6021SPSQ-13 | Виробник : Diodes Incorporated |
MOSFET MOSFET BVDSS: 41V-60V |
на замовлення 28 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||
 |
DMNH6021SPSQ-13 | Виробник : Diodes Inc |
Trans MOSFET N-CH 60V 55A Automotive 8-Pin PowerDI 5060 T/R |
товару немає в наявності |
|||||||||||||||
| DMNH6021SPSQ-13 | Виробник : DIODES INCORPORATED | DMNH6021SPSQ-13 SMD N channel transistors |
товару немає в наявності |