DMN68M7SCT Diodes Incorporated
Виробник: Diodes IncorporatedDescription: MOSFET BVDSS: 61V~100V TO220-3 T
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 100A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 8mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 125W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220-3
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 68 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 72.9 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4260 pF @ 30 V
на замовлення 7700 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 50+ | 62.58 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис DMN68M7SCT Diodes Incorporated
Description: MOSFET BVDSS: 61V~100V TO220-3 T, Packaging: Tube, Package / Case: TO-220-3, Mounting Type: Through Hole, Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), FET Type: N-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 100A (Tc), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 8mOhm @ 20A, 10V, Power Dissipation (Max): 125W (Tc), Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA, Supplier Device Package: TO-220-3, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V, Vgs (Max): ±20V, Drain to Source Voltage (Vdss): 68 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 72.9 nC @ 10 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4260 pF @ 30 V.
Інші пропозиції DMN68M7SCT за ціною від 85.79 грн до 115.42 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна без ПДВ | ||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 |
DMN68M7SCT | Виробник : DIODES INC. |
Description: DIODES INC. - DMN68M7SCT - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 68 V, 100 A, 0.0062 ohm, TO-220AB, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Drain-Source-Spannung Vds: 68V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 100A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V euEccn: NLR Verlustleistung: 125W Anzahl der Pins: 3Pin(s) productTraceability: Yes-Date/Lot Code Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0062ohm |
на замовлення 28 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||
|
|
DMN68M7SCT | Виробник : DIODES INC. |
Description: DIODES INC. - DMN68M7SCT - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 68 V, 100 A, 0.0062 ohm, TO-220AB, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Drain-Source-Spannung Vds: 68V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 100A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V euEccn: NLR Verlustleistung: 125W Anzahl der Pins: 3Pin(s) productTraceability: Yes-Date/Lot Code Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0062ohm |
на замовлення 28 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |