Продукція > DIODES INCORPORATED > DMN65D8LT-13
DMN65D8LT-13

DMN65D8LT-13 Diodes Incorporated

DMN65D8LT.pdf Виробник: Diodes Incorporated
Description: MOSFET BVDSS: 41V~60V SOT523 T&R
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SOT-523
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 210mA (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5Ohm @ 115mA, 10V
Power Dissipation (Max): 300mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-523
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 0.4 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 24 pF @ 25 V
на замовлення 140000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
10000+1.82 грн
30000+ 1.72 грн
50000+ 1.55 грн
100000+ 1.29 грн
Мінімальне замовлення: 10000
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис DMN65D8LT-13 Diodes Incorporated

Description: MOSFET BVDSS: 41V~60V SOT523 T&R, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: SOT-523, Mounting Type: Surface Mount, Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), FET Type: N-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 210mA (Ta), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5Ohm @ 115mA, 10V, Power Dissipation (Max): 300mW (Ta), Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA, Supplier Device Package: SOT-523, Part Status: Active, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 5V, 10V, Vgs (Max): ±20V, Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 0.4 nC @ 4.5 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 24 pF @ 25 V.

Інші пропозиції DMN65D8LT-13 за ціною від 1.55 грн до 16.33 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна без ПДВ
DMN65D8LT-13 DMN65D8LT-13 Виробник : Diodes Incorporated DMN65D8LT.pdf Description: MOSFET BVDSS: 41V~60V SOT523 T&R
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SOT-523
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 210mA (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5Ohm @ 115mA, 10V
Power Dissipation (Max): 300mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-523
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 0.4 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 24 pF @ 25 V
на замовлення 149568 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
23+13.97 грн
33+ 9.27 грн
100+ 4.54 грн
500+ 3.55 грн
1000+ 2.47 грн
2000+ 2.14 грн
5000+ 1.95 грн
Мінімальне замовлення: 23
DMN65D8LT-13 DMN65D8LT-13 Виробник : Diodes Incorporated DIOD_S_A0012955996_1-2544003.pdf MOSFET MOSFET BVDSS:41V-60V
на замовлення 9840 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
21+16.33 грн
31+ 10.73 грн
100+ 5.96 грн
1000+ 2.66 грн
2500+ 2.37 грн
10000+ 1.72 грн
20000+ 1.58 грн
Мінімальне замовлення: 21
DMN65D8LT-13 Виробник : Diodes Zetex DMN65D8LT.pdf DMN65D8LT-13
на замовлення 160000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
10000+1.55 грн
Мінімальне замовлення: 10000