![DMN63D8LDW-7 DMN63D8LDW-7](https://download.siliconexpert.com/pdfs/2017/7/30/7/36/19/37/dds_/manual/sot363.jpg)
на замовлення 12000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
3000+ | 2.29 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис DMN63D8LDW-7 Diodes Inc
Description: DIODES INC. - DMN63D8LDW-7 - Dual-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 30 V, 260 mA, 260 mA, 2.8 ohm, tariffCode: 85412100, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 260mA, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: AEC-Q101, Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 30V, usEccn: EAR99, Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 260mA, Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 2.8ohm, Verlustleistung, p-Kanal: 400mW, Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 30V, euEccn: NLR, Bauform - Transistor: SOT-363, Anzahl der Pins: 6Pin(s), Produktpalette: -, Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 2.8ohm, productTraceability: No, Kanaltyp: n-Kanal, Verlustleistung, n-Kanal: 400mW, Betriebstemperatur, max.: 150°C.
Інші пропозиції DMN63D8LDW-7 за ціною від 1.86 грн до 22.81 грн
Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна без ПДВ | ||||||||||||||||
---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
![]() |
DMN63D8LDW-7 | Виробник : Diodes Zetex |
![]() |
на замовлення 5262000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
![]() |
DMN63D8LDW-7 | Виробник : Diodes Zetex |
![]() |
на замовлення 321000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
![]() |
DMN63D8LDW-7 | Виробник : Diodes Zetex |
![]() |
на замовлення 12000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
![]() |
DMN63D8LDW-7 | Виробник : Diodes Zetex |
![]() |
на замовлення 138000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
![]() |
DMN63D8LDW-7 | Виробник : Diodes Zetex |
![]() |
на замовлення 321000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
![]() |
DMN63D8LDW-7 | Виробник : Diodes Zetex |
![]() |
на замовлення 138000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
![]() |
DMN63D8LDW-7 | Виробник : Diodes Incorporated |
![]() Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: 6-TSSOP, SC-88, SOT-363 Mounting Type: Surface Mount Configuration: 2 N-Channel (Dual) Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) Power - Max: 300mW Drain to Source Voltage (Vdss): 30V Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 220mA Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 22pF @ 25V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.8Ohm @ 250mA, 10V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 0.87nC @ 10V FET Feature: Logic Level Gate Vgs(th) (Max) @ Id: 1.5V @ 250µA Supplier Device Package: SOT-363 |
на замовлення 5394000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
![]() |
DMN63D8LDW-7 | Виробник : Diodes Zetex |
![]() |
на замовлення 12000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
![]() |
DMN63D8LDW-7 | Виробник : DIODES INC. |
![]() tariffCode: 85412100 rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 260mA hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: AEC-Q101 Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 30V usEccn: EAR99 Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 260mA Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 2.8ohm Verlustleistung, p-Kanal: 400mW Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 30V euEccn: NLR Bauform - Transistor: SOT-363 Anzahl der Pins: 6Pin(s) Produktpalette: - Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 2.8ohm productTraceability: No Kanaltyp: n-Kanal Verlustleistung, n-Kanal: 400mW Betriebstemperatur, max.: 150°C |
на замовлення 50809 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
![]() |
DMN63D8LDW-7 | Виробник : DIODES INC. |
![]() tariffCode: 85412100 rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 260mA hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: AEC-Q101 Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 30V usEccn: EAR99 Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 260mA Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 2.8ohm Verlustleistung, p-Kanal: 400mW Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 30V euEccn: NLR Bauform - Transistor: SOT-363 Anzahl der Pins: 6Pin(s) Produktpalette: - Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 2.8ohm productTraceability: No Kanaltyp: n-Kanal Verlustleistung, n-Kanal: 400mW Betriebstemperatur, max.: 150°C |
на замовлення 50809 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
![]() |
DMN63D8LDW-7 | Виробник : DIODES INCORPORATED |
![]() Description: Transistor: N-MOSFET x2; unipolar; 30V; 0.17A; Idm: 0.8A; 0.4W Type of transistor: N-MOSFET x2 Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 30V Drain current: 0.17A Pulsed drain current: 0.8A Power dissipation: 0.4W Case: SOT363 Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 4.5Ω Mounting: SMD Kind of package: reel; tape Kind of channel: enhanced Features of semiconductor devices: ESD protected gate |
на замовлення 1530 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
![]() |
DMN63D8LDW-7 | Виробник : Diodes Incorporated |
![]() |
на замовлення 196492 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
![]() |
DMN63D8LDW-7 | Виробник : DIODES INCORPORATED |
![]() Description: Transistor: N-MOSFET x2; unipolar; 30V; 0.17A; Idm: 0.8A; 0.4W Type of transistor: N-MOSFET x2 Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 30V Drain current: 0.17A Pulsed drain current: 0.8A Power dissipation: 0.4W Case: SOT363 Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 4.5Ω Mounting: SMD Kind of package: reel; tape Kind of channel: enhanced Features of semiconductor devices: ESD protected gate кількість в упаковці: 1 шт |
на замовлення 1530 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
![]() |
DMN63D8LDW-7 | Виробник : Diodes Incorporated |
![]() Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: 6-TSSOP, SC-88, SOT-363 Mounting Type: Surface Mount Configuration: 2 N-Channel (Dual) Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) Power - Max: 300mW Drain to Source Voltage (Vdss): 30V Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 220mA Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 22pF @ 25V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.8Ohm @ 250mA, 10V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 0.87nC @ 10V FET Feature: Logic Level Gate Vgs(th) (Max) @ Id: 1.5V @ 250µA Supplier Device Package: SOT-363 |
на замовлення 5394975 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
![]() |
DMN63D8LDW-7 | Виробник : Diodes Zetex |
![]() |
товар відсутній |