Продукція > DIODES INC > DMN63D8LDW-7
DMN63D8LDW-7

DMN63D8LDW-7 Diodes Inc

dmn63d8ldw.pdf Виробник: Diodes Inc
Trans MOSFET N-CH 30V 0.26A 6-Pin SOT-363 T/R
на замовлення 12000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
3000+2.29 грн
Мінімальне замовлення: 3000
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис DMN63D8LDW-7 Diodes Inc

Description: DIODES INC. - DMN63D8LDW-7 - Dual-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 30 V, 260 mA, 260 mA, 2.8 ohm, tariffCode: 85412100, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 260mA, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: AEC-Q101, Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 30V, usEccn: EAR99, Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 260mA, Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 2.8ohm, Verlustleistung, p-Kanal: 400mW, Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 30V, euEccn: NLR, Bauform - Transistor: SOT-363, Anzahl der Pins: 6Pin(s), Produktpalette: -, Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 2.8ohm, productTraceability: No, Kanaltyp: n-Kanal, Verlustleistung, n-Kanal: 400mW, Betriebstemperatur, max.: 150°C.

Інші пропозиції DMN63D8LDW-7 за ціною від 1.86 грн до 22.81 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна без ПДВ
DMN63D8LDW-7 DMN63D8LDW-7 Виробник : Diodes Zetex dmn63d8ldw.pdf Trans MOSFET N-CH 30V 0.26A 6-Pin SOT-363 T/R
на замовлення 5262000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
6000+2.4 грн
Мінімальне замовлення: 6000
DMN63D8LDW-7 DMN63D8LDW-7 Виробник : Diodes Zetex dmn63d8ldw.pdf Trans MOSFET N-CH 30V 0.26A 6-Pin SOT-363 T/R
на замовлення 321000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
3000+2.69 грн
6000+ 2.4 грн
12000+ 2.12 грн
18000+ 2.02 грн
30000+ 1.86 грн
Мінімальне замовлення: 3000
DMN63D8LDW-7 DMN63D8LDW-7 Виробник : Diodes Zetex dmn63d8ldw.pdf Trans MOSFET N-CH 30V 0.26A 6-Pin SOT-363 T/R
на замовлення 12000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
3000+2.75 грн
6000+ 2.45 грн
12000+ 2.17 грн
Мінімальне замовлення: 3000
DMN63D8LDW-7 DMN63D8LDW-7 Виробник : Diodes Zetex dmn63d8ldw.pdf Trans MOSFET N-CH 30V 0.26A 6-Pin SOT-363 T/R
на замовлення 138000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
3000+2.88 грн
6000+ 2.57 грн
12000+ 2.27 грн
18000+ 2.17 грн
30000+ 1.99 грн
Мінімальне замовлення: 3000
DMN63D8LDW-7 DMN63D8LDW-7 Виробник : Diodes Zetex dmn63d8ldw.pdf Trans MOSFET N-CH 30V 0.26A 6-Pin SOT-363 T/R
на замовлення 321000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
4144+2.91 грн
6000+ 2.6 грн
12000+ 2.32 грн
18000+ 2.22 грн
30000+ 2.02 грн
Мінімальне замовлення: 4144
DMN63D8LDW-7 DMN63D8LDW-7 Виробник : Diodes Zetex dmn63d8ldw.pdf Trans MOSFET N-CH 30V 0.26A 6-Pin SOT-363 T/R
на замовлення 138000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
3866+3.12 грн
6000+ 2.8 грн
12000+ 2.49 грн
18000+ 2.38 грн
30000+ 2.18 грн
Мінімальне замовлення: 3866
DMN63D8LDW-7 DMN63D8LDW-7 Виробник : Diodes Incorporated DMN63D8LDW.pdf Description: MOSFET 2N-CH 30V 0.22A SOT363
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 6-TSSOP, SC-88, SOT-363
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 300mW
Drain to Source Voltage (Vdss): 30V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 220mA
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 22pF @ 25V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.8Ohm @ 250mA, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 0.87nC @ 10V
FET Feature: Logic Level Gate
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.5V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-363
на замовлення 5394000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
3000+3.75 грн
6000+ 3.35 грн
9000+ 2.77 грн
30000+ 2.56 грн
75000+ 2.3 грн
150000+ 1.99 грн
Мінімальне замовлення: 3000
DMN63D8LDW-7 DMN63D8LDW-7 Виробник : Diodes Zetex dmn63d8ldw.pdf Trans MOSFET N-CH 30V 0.26A 6-Pin SOT-363 T/R
на замовлення 12000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
3000+4.5 грн
Мінімальне замовлення: 3000
DMN63D8LDW-7 DMN63D8LDW-7 Виробник : DIODES INC. DIOD-S-A0012915297-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: DIODES INC. - DMN63D8LDW-7 - Dual-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 30 V, 260 mA, 260 mA, 2.8 ohm
tariffCode: 85412100
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 260mA
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 30V
usEccn: EAR99
Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 260mA
Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 2.8ohm
Verlustleistung, p-Kanal: 400mW
Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 30V
euEccn: NLR
Bauform - Transistor: SOT-363
Anzahl der Pins: 6Pin(s)
Produktpalette: -
Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 2.8ohm
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Verlustleistung, n-Kanal: 400mW
Betriebstemperatur, max.: 150°C
на замовлення 50809 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
79+10.09 грн
104+ 7.6 грн
155+ 5.11 грн
500+ 3.51 грн
1500+ 3.18 грн
Мінімальне замовлення: 79
DMN63D8LDW-7 DMN63D8LDW-7 Виробник : DIODES INC. DIOD-S-A0012915297-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: DIODES INC. - DMN63D8LDW-7 - Dual-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 30 V, 260 mA, 260 mA, 2.8 ohm
tariffCode: 85412100
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 260mA
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 30V
usEccn: EAR99
Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 260mA
Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 2.8ohm
Verlustleistung, p-Kanal: 400mW
Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 30V
euEccn: NLR
Bauform - Transistor: SOT-363
Anzahl der Pins: 6Pin(s)
Produktpalette: -
Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 2.8ohm
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Verlustleistung, n-Kanal: 400mW
Betriebstemperatur, max.: 150°C
на замовлення 50809 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
100+10.09 грн
104+ 7.6 грн
155+ 5.11 грн
500+ 3.51 грн
1500+ 3.18 грн
Мінімальне замовлення: 100
DMN63D8LDW-7 DMN63D8LDW-7 Виробник : DIODES INCORPORATED DMN63D8LDW.pdf Category: Multi channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET x2; unipolar; 30V; 0.17A; Idm: 0.8A; 0.4W
Type of transistor: N-MOSFET x2
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 30V
Drain current: 0.17A
Pulsed drain current: 0.8A
Power dissipation: 0.4W
Case: SOT363
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 4.5Ω
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhanced
Features of semiconductor devices: ESD protected gate
на замовлення 1530 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
28+14.19 грн
46+ 8.05 грн
62+ 5.94 грн
70+ 5.29 грн
100+ 4.7 грн
283+ 3.02 грн
778+ 2.86 грн
Мінімальне замовлення: 28
DMN63D8LDW-7 DMN63D8LDW-7 Виробник : Diodes Incorporated DMN63D8LDW.pdf MOSFET 30V DUAL N-CH MOSFET
на замовлення 196492 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
21+15.99 грн
29+ 11.15 грн
100+ 4.78 грн
1000+ 3.37 грн
3000+ 2.81 грн
9000+ 2.53 грн
24000+ 2.32 грн
Мінімальне замовлення: 21
DMN63D8LDW-7 DMN63D8LDW-7 Виробник : DIODES INCORPORATED DMN63D8LDW.pdf Category: Multi channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET x2; unipolar; 30V; 0.17A; Idm: 0.8A; 0.4W
Type of transistor: N-MOSFET x2
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 30V
Drain current: 0.17A
Pulsed drain current: 0.8A
Power dissipation: 0.4W
Case: SOT363
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 4.5Ω
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhanced
Features of semiconductor devices: ESD protected gate
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 1530 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
17+17.03 грн
28+ 10.04 грн
37+ 7.13 грн
50+ 6.34 грн
100+ 5.64 грн
283+ 3.63 грн
778+ 3.44 грн
Мінімальне замовлення: 17
DMN63D8LDW-7 DMN63D8LDW-7 Виробник : Diodes Incorporated DMN63D8LDW.pdf Description: MOSFET 2N-CH 30V 0.22A SOT363
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 6-TSSOP, SC-88, SOT-363
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 300mW
Drain to Source Voltage (Vdss): 30V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 220mA
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 22pF @ 25V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.8Ohm @ 250mA, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 0.87nC @ 10V
FET Feature: Logic Level Gate
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.5V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-363
на замовлення 5394975 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
14+22.81 грн
20+ 14.72 грн
100+ 7.18 грн
500+ 5.62 грн
1000+ 3.91 грн
Мінімальне замовлення: 14
DMN63D8LDW-7 DMN63D8LDW-7 Виробник : Diodes Zetex dmn63d8ldw.pdf Trans MOSFET N-CH 30V 0.26A 6-Pin SOT-363 T/R
товар відсутній