DMN62D0UWQ-13

DMN62D0UWQ-13 Diodes Incorporated


DMN62D0UWQ.pdf Виробник: Diodes Incorporated
Description: MOSFET N-CH 60V 340MA SOT323
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SC-70, SOT-323
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 340mA (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2Ohm @ 100mA, 4.5V
Power Dissipation (Max): 320mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-323
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.8V, 4.5V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 0.5 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 32 pF @ 30 V
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 220000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
10000+4.21 грн
30000+ 3.98 грн
50000+ 3.29 грн
Мінімальне замовлення: 10000
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис DMN62D0UWQ-13 Diodes Incorporated

Description: MOSFET N-CH 60V 340MA SOT323, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: SC-70, SOT-323, Mounting Type: Surface Mount, Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), FET Type: N-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 340mA (Ta), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2Ohm @ 100mA, 4.5V, Power Dissipation (Max): 320mW (Ta), Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA, Supplier Device Package: SOT-323, Part Status: Active, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.8V, 4.5V, Vgs (Max): ±20V, Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 0.5 nC @ 4.5 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 32 pF @ 30 V, Grade: Automotive, Qualification: AEC-Q101.

Інші пропозиції DMN62D0UWQ-13 за ціною від 3.65 грн до 31.24 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна без ПДВ
DMN62D0UWQ-13 DMN62D0UWQ-13 Виробник : Diodes Incorporated DMN62D0UWQ.pdf Description: MOSFET N-CH 60V 340MA SOT323
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SC-70, SOT-323
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 340mA (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2Ohm @ 100mA, 4.5V
Power Dissipation (Max): 320mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-323
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.8V, 4.5V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 0.5 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 32 pF @ 30 V
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 226920 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
11+28.13 грн
16+ 19.04 грн
100+ 9.63 грн
500+ 7.37 грн
1000+ 5.47 грн
2000+ 4.6 грн
5000+ 4.33 грн
Мінімальне замовлення: 11
DMN62D0UWQ-13 DMN62D0UWQ-13 Виробник : Diodes Incorporated DIOD_S_A0008363660_1-2543053.pdf MOSFET MOSFET BVDSS: 31V-40V
на замовлення 19500 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
11+31.24 грн
15+ 22.55 грн
100+ 9.14 грн
1000+ 5.69 грн
2500+ 4.92 грн
10000+ 4.15 грн
20000+ 3.65 грн
Мінімальне замовлення: 11
DMN62D0UWQ-13 Виробник : Diodes Inc dmn62d0uwq.pdf High Enhancement Mode MOSFET
товар відсутній
DMN62D0UWQ-13 Виробник : Diodes Zetex dmn62d0uwq.pdf High Enhancement Mode MOSFET Automotive AEC-Q101
товар відсутній
DMN62D0UWQ-13 DMN62D0UWQ-13 Виробник : DIODES INCORPORATED DMN62D0UWQ.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 300mA; Idm: 1.2A; 470mW; SOT323
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 0.3A
Pulsed drain current: 1.2A
Power dissipation: 0.47W
Case: SOT323
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance:
Mounting: SMD
Gate charge: 0.5nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhanced
кількість в упаковці: 10000 шт
товар відсутній
DMN62D0UWQ-13 DMN62D0UWQ-13 Виробник : DIODES INCORPORATED DMN62D0UWQ.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 300mA; Idm: 1.2A; 470mW; SOT323
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 0.3A
Pulsed drain current: 1.2A
Power dissipation: 0.47W
Case: SOT323
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance:
Mounting: SMD
Gate charge: 0.5nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhanced
товар відсутній