DMN62D0UWQ-13 Diodes Incorporated
![DMN62D0UWQ.pdf](/images/adobe-acrobat.png)
Description: MOSFET N-CH 60V 340MA SOT323
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SC-70, SOT-323
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 340mA (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2Ohm @ 100mA, 4.5V
Power Dissipation (Max): 320mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-323
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.8V, 4.5V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 0.5 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 32 pF @ 30 V
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 220000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
10000+ | 4.21 грн |
30000+ | 3.98 грн |
50000+ | 3.29 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис DMN62D0UWQ-13 Diodes Incorporated
Description: MOSFET N-CH 60V 340MA SOT323, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: SC-70, SOT-323, Mounting Type: Surface Mount, Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), FET Type: N-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 340mA (Ta), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2Ohm @ 100mA, 4.5V, Power Dissipation (Max): 320mW (Ta), Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA, Supplier Device Package: SOT-323, Part Status: Active, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.8V, 4.5V, Vgs (Max): ±20V, Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 0.5 nC @ 4.5 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 32 pF @ 30 V, Grade: Automotive, Qualification: AEC-Q101.
Інші пропозиції DMN62D0UWQ-13 за ціною від 3.65 грн до 31.24 грн
Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна без ПДВ | ||||||||||||||||
---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
|
DMN62D0UWQ-13 | Виробник : Diodes Incorporated |
![]() Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: SC-70, SOT-323 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 340mA (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2Ohm @ 100mA, 4.5V Power Dissipation (Max): 320mW (Ta) Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA Supplier Device Package: SOT-323 Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.8V, 4.5V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 0.5 nC @ 4.5 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 32 pF @ 30 V Grade: Automotive Qualification: AEC-Q101 |
на замовлення 226920 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
![]() |
DMN62D0UWQ-13 | Виробник : Diodes Incorporated |
![]() |
на замовлення 19500 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
DMN62D0UWQ-13 | Виробник : Diodes Inc |
![]() |
товар відсутній |
||||||||||||||||||
DMN62D0UWQ-13 | Виробник : Diodes Zetex |
![]() |
товар відсутній |
||||||||||||||||||
![]() |
DMN62D0UWQ-13 | Виробник : DIODES INCORPORATED |
![]() Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 300mA; Idm: 1.2A; 470mW; SOT323 Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 60V Drain current: 0.3A Pulsed drain current: 1.2A Power dissipation: 0.47W Case: SOT323 Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 3Ω Mounting: SMD Gate charge: 0.5nC Kind of package: reel; tape Kind of channel: enhanced кількість в упаковці: 10000 шт |
товар відсутній |
|||||||||||||||||
![]() |
DMN62D0UWQ-13 | Виробник : DIODES INCORPORATED |
![]() Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 300mA; Idm: 1.2A; 470mW; SOT323 Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 60V Drain current: 0.3A Pulsed drain current: 1.2A Power dissipation: 0.47W Case: SOT323 Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 3Ω Mounting: SMD Gate charge: 0.5nC Kind of package: reel; tape Kind of channel: enhanced |
товар відсутній |