DMN62D0UT-13 Diodes Incorporated
Виробник: Diodes IncorporatedDescription: MOSFET N-CH 60V 0.32A SOT523
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SOT-523
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 320mA (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2Ohm @ 50mA, 4.5V
Power Dissipation (Max): 230mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250A
Supplier Device Package: SOT-523
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.8V, 2.5V, 4.5V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 0.5 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 32 pF @ 30 V
на замовлення 130000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 10000+ | 3.43 грн |
| 30000+ | 3.24 грн |
| 50000+ | 2.91 грн |
| 100000+ | 2.42 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис DMN62D0UT-13 Diodes Incorporated
Description: MOSFET N-CH 60V 0.32A SOT523, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: SOT-523, Mounting Type: Surface Mount, Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), FET Type: N-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 320mA (Ta), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2Ohm @ 50mA, 4.5V, Power Dissipation (Max): 230mW (Ta), Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250A, Supplier Device Package: SOT-523, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.8V, 2.5V, 4.5V, Vgs (Max): ±20V, Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 0.5 nC @ 4.5 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 32 pF @ 30 V.
Інші пропозиції DMN62D0UT-13 за ціною від 2.96 грн до 20.53 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна без ПДВ | ||||||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
|
|
DMN62D0UT-13 | Виробник : Diodes Incorporated |
Description: MOSFET N-CH 60V 0.32A SOT523 Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: SOT-523 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 320mA (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2Ohm @ 50mA, 4.5V Power Dissipation (Max): 230mW (Ta) Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250A Supplier Device Package: SOT-523 Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.8V, 2.5V, 4.5V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 0.5 nC @ 4.5 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 32 pF @ 30 V |
на замовлення 139990 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
| DMN62D0UT-13 | Виробник : Diodes Zetex |
Trans MOSFET N-CH 60V 0.32A 3-Pin SOT-523 T/R |
на замовлення 130000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
|||||||||||||||||
 |
DMN62D0UT-13 | Виробник : Diodes Inc |
Trans MOSFET N-CH 60V 0.32A 3-Pin SOT-523 T/R |
товар відсутній |
|||||||||||||||||
 |
DMN62D0UT-13 | Виробник : DIODES INCORPORATED |
Category: SMD N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 260mA; Idm: 1.2A; 340mW; SOT523 Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 60V Drain current: 0.26A Pulsed drain current: 1.2A Power dissipation: 0.34W Case: SOT523 Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 3Ω Mounting: SMD Gate charge: 0.5nC Kind of package: reel; tape Kind of channel: enhanced кількість в упаковці: 10000 шт |
товар відсутній |
|||||||||||||||||
 |
DMN62D0UT-13 | Виробник : Diodes Incorporated |
MOSFETs N-Ch Enh Mode Fet 60V 20Vgss 0.47W |
товар відсутній |
|||||||||||||||||
|
|
DMN62D0UT-13 | Виробник : DIODES INCORPORATED |
Category: SMD N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 260mA; Idm: 1.2A; 340mW; SOT523 Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 60V Drain current: 0.26A Pulsed drain current: 1.2A Power dissipation: 0.34W Case: SOT523 Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 3Ω Mounting: SMD Gate charge: 0.5nC Kind of package: reel; tape Kind of channel: enhanced |
товар відсутній |