![DMN62D0SFD-7 DMN62D0SFD-7](https://static6.arrow.com/aropdfconversion/arrowimages/3a4e648ea848b95928593a524a6409b243056549/dfn1.2x1.2.jpg)
на замовлення 207000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
3000+ | 4.43 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис DMN62D0SFD-7 Diodes Zetex
Description: DIODES INC. - DMN62D0SFD-7 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 540 mA, 2 ohm, X1-DFN1212, Oberflächenmontage, tariffCode: 85411000, Transistormontage: Oberflächenmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 60V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 540mA, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.6V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 430mW, Bauform - Transistor: X1-DFN1212, Anzahl der Pins: 3Pins, Produktpalette: PW Series, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Kanaltyp: n-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 2ohm, SVHC: No SVHC (14-Jun-2023).
Інші пропозиції DMN62D0SFD-7 за ціною від 3.54 грн до 40.29 грн
Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна без ПДВ | ||||||||||||||||
---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
![]() |
DMN62D0SFD-7 | Виробник : Diodes Incorporated |
![]() Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: 3-UDFN Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 540mA (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2Ohm @ 500mA, 10V Power Dissipation (Max): 430mW (Ta) Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 1mA Supplier Device Package: X1-DFN1212-3 Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 5V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 0.87 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 30.2 pF @ 25 V |
на замовлення 198000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
![]() |
DMN62D0SFD-7 | Виробник : DIODES INC. |
![]() tariffCode: 85411000 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 60V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 540mA hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.6V euEccn: NLR Verlustleistung: 430mW Bauform - Transistor: X1-DFN1212 Anzahl der Pins: 3Pins Produktpalette: PW Series productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 2ohm SVHC: No SVHC (14-Jun-2023) |
на замовлення 430 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
![]() |
DMN62D0SFD-7 | Виробник : DIODES INCORPORATED |
![]() Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 500mA; Idm: 1A; 890mW Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 60V Drain current: 0.5A Pulsed drain current: 1A Power dissipation: 0.89W Case: X1-DFN1212-3 Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 3Ω Mounting: SMD Gate charge: 870pC Kind of package: reel; tape Kind of channel: enhanced |
на замовлення 2995 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
![]() |
DMN62D0SFD-7 | Виробник : DIODES INCORPORATED |
![]() Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 500mA; Idm: 1A; 890mW Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 60V Drain current: 0.5A Pulsed drain current: 1A Power dissipation: 0.89W Case: X1-DFN1212-3 Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 3Ω Mounting: SMD Gate charge: 870pC Kind of package: reel; tape Kind of channel: enhanced кількість в упаковці: 5 шт |
на замовлення 2995 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
![]() |
DMN62D0SFD-7 | Виробник : Diodes Incorporated |
![]() Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: 3-UDFN Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 540mA (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2Ohm @ 500mA, 10V Power Dissipation (Max): 430mW (Ta) Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 1mA Supplier Device Package: X1-DFN1212-3 Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 5V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 0.87 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 30.2 pF @ 25 V |
на замовлення 201472 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
![]() |
DMN62D0SFD-7 | Виробник : Diodes Incorporated |
![]() |
на замовлення 4234 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
![]() |
DMN62D0SFD-7 | Виробник : DIODES INC. |
![]() tariffCode: 85411000 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 60V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 540mA hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.6V euEccn: NLR Verlustleistung: 430mW Bauform - Transistor: X1-DFN1212 Anzahl der Pins: 3Pins Produktpalette: PW Series productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 2ohm SVHC: No SVHC (14-Jun-2023) |
на замовлення 430 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
![]() |
DMN62D0SFD-7 | Виробник : Diodes Inc |
![]() |
товар відсутній |