Продукція > DIODES ZETEX > DMN62D0LFB-7
DMN62D0LFB-7

DMN62D0LFB-7 Diodes Zetex

dmn62d0lfb.pdf Виробник: Diodes Zetex
Trans MOSFET N-CH 60V 0.32A 3-Pin DFN T/R
на замовлення 351000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
3000+5.27 грн
Мінімальне замовлення: 3000
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис DMN62D0LFB-7 Diodes Zetex

Description: DIODES INC. - DMN62D0LFB-7 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 320 mA, 1.3 ohm, X1-DFN1006, Oberflächenmontage, tariffCode: 85411000, Transistormontage: Oberflächenmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 60V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 320mA, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 500mW, Bauform - Transistor: X1-DFN1006, Anzahl der Pins: 3Pins, Produktpalette: PW Series, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Kanaltyp: n-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 4V, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 1.3ohm, SVHC: No SVHC (14-Jun-2023).

Інші пропозиції DMN62D0LFB-7 за ціною від 4.15 грн до 31.93 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна без ПДВ
DMN62D0LFB-7 DMN62D0LFB-7 Виробник : Diodes Incorporated DMN62D0LFB.pdf Description: MOSFET N-CH 60V 100MA 3DFN
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 3-UFDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 100mA (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2Ohm @ 100mA, 4V
Power Dissipation (Max): 470mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA
Supplier Device Package: X1-DFN1006-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.5V, 4V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 0.45 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 32 pF @ 25 V
на замовлення 672000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
3000+5.9 грн
6000+ 5.15 грн
9000+ 4.88 грн
15000+ 4.3 грн
21000+ 4.15 грн
Мінімальне замовлення: 3000
DMN62D0LFB-7 DMN62D0LFB-7 Виробник : DIODES INC. DIOD-S-A0009700514-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: DIODES INC. - DMN62D0LFB-7 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 320 mA, 1.3 ohm, X1-DFN1006, Oberflächenmontage
tariffCode: 85411000
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 320mA
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 500mW
Bauform - Transistor: X1-DFN1006
Anzahl der Pins: 3Pins
Produktpalette: PW Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 4V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 1.3ohm
SVHC: No SVHC (14-Jun-2023)
на замовлення 2550 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
100+9.62 грн
500+ 7.54 грн
1000+ 5.68 грн
Мінімальне замовлення: 100
DMN62D0LFB-7 DMN62D0LFB-7 Виробник : Diodes Zetex dmn62d0lfb.pdf Trans MOSFET N-CH 60V 0.32A 3-Pin DFN T/R
на замовлення 3080 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
697+17.32 грн
1386+ 8.7 грн
1401+ 8.61 грн
1416+ 8.21 грн
1631+ 6.6 грн
3000+ 4.55 грн
Мінімальне замовлення: 697
DMN62D0LFB-7 DMN62D0LFB-7 Виробник : Diodes Zetex dmn62d0lfb.pdf Trans MOSFET N-CH 60V 0.32A 3-Pin DFN T/R
на замовлення 3080 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
26+23.01 грн
34+ 18.03 грн
38+ 15.83 грн
100+ 8.02 грн
250+ 7.35 грн
500+ 6.98 грн
1000+ 5.72 грн
3000+ 4.22 грн
Мінімальне замовлення: 26
DMN62D0LFB-7 DMN62D0LFB-7 Виробник : Diodes Incorporated DMN62D0LFB.pdf MOSFET MOSFET BVDSS: 41V-60 X2-DFN1006-3 T&R 3K
на замовлення 107268 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
12+28.21 грн
17+ 19.48 грн
100+ 7.94 грн
1000+ 6.47 грн
3000+ 5.9 грн
9000+ 4.99 грн
24000+ 4.78 грн
Мінімальне замовлення: 12
DMN62D0LFB-7 DMN62D0LFB-7 Виробник : Diodes Incorporated DMN62D0LFB.pdf Description: MOSFET N-CH 60V 100MA 3DFN
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 3-UFDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 100mA (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2Ohm @ 100mA, 4V
Power Dissipation (Max): 470mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA
Supplier Device Package: X1-DFN1006-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.5V, 4V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 0.45 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 32 pF @ 25 V
на замовлення 673162 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
11+29.65 грн
15+ 19.91 грн
100+ 10.05 грн
500+ 8.36 грн
1000+ 6.5 грн
Мінімальне замовлення: 11
DMN62D0LFB-7 DMN62D0LFB-7 Виробник : DIODES INC. DIOD-S-A0009700514-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: DIODES INC. - DMN62D0LFB-7 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 320 mA, 1.3 ohm, X1-DFN1006, Oberflächenmontage
tariffCode: 85411000
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 320mA
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 500mW
Bauform - Transistor: X1-DFN1006
Anzahl der Pins: 3Pins
Produktpalette: PW Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 4V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 1.3ohm
SVHC: No SVHC (14-Jun-2023)
на замовлення 2550 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
25+31.93 грн
37+ 21.84 грн
100+ 9.62 грн
500+ 7.54 грн
1000+ 5.68 грн
Мінімальне замовлення: 25
DMN62D0LFB-7 DMN62D0LFB-7 Виробник : Diodes Zetex dmn62d0lfb.pdf Trans MOSFET N-CH 60V 0.32A 3-Pin DFN T/R
товар відсутній
DMN62D0LFB-7 DMN62D0LFB-7 Виробник : Diodes Zetex dmn62d0lfb.pdf Trans MOSFET N-CH 60V 0.32A 3-Pin DFN T/R
товар відсутній
DMN62D0LFB-7 DMN62D0LFB-7 Виробник : Diodes Inc dmn62d0lfb.pdf Trans MOSFET N-CH 60V 0.32A 3-Pin DFN T/R
товар відсутній
DMN62D0LFB-7 Виробник : DIODES INCORPORATED DMN62D0LFB.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 75mA; Idm: 1A; 500mW
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 75mA
Pulsed drain current: 1A
Power dissipation: 0.5W
Case: X1-DFN1006-3
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 3Ω
Mounting: SMD
Gate charge: 0.9nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhanced
кількість в упаковці: 5 шт
товар відсутній
DMN62D0LFB-7 Виробник : DIODES INCORPORATED DMN62D0LFB.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 75mA; Idm: 1A; 500mW
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 75mA
Pulsed drain current: 1A
Power dissipation: 0.5W
Case: X1-DFN1006-3
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 3Ω
Mounting: SMD
Gate charge: 0.9nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhanced
товар відсутній