DMN61D9UWQ-13 Diodes Incorporated
![DMN61D9UWQ_Rev2-3_Aug2022.pdf](/images/adobe-acrobat.png)
Description: MOSFET N-CH 60V 400MA SOT323
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SC-70, SOT-323
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 400mA (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2Ohm @ 50mA, 5V
Power Dissipation (Max): 440mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-323
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.8V, 5V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 0.4 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 28.5 pF @ 30 V
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 11200000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
10000+ | 3.55 грн |
30000+ | 3.36 грн |
50000+ | 2.78 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис DMN61D9UWQ-13 Diodes Incorporated
Description: MOSFET N-CH 60V 400MA SOT323, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: SC-70, SOT-323, Mounting Type: Surface Mount, Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), FET Type: N-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 400mA (Ta), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2Ohm @ 50mA, 5V, Power Dissipation (Max): 440mW (Ta), Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA, Supplier Device Package: SOT-323, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.8V, 5V, Vgs (Max): ±20V, Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 0.4 nC @ 4.5 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 28.5 pF @ 30 V, Grade: Automotive, Qualification: AEC-Q101.
Інші пропозиції DMN61D9UWQ-13 за ціною від 3.02 грн до 26.98 грн
Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна без ПДВ | ||||||||||||||||
---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
|
DMN61D9UWQ-13 | Виробник : Diodes Incorporated |
![]() Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: SC-70, SOT-323 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 400mA (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2Ohm @ 50mA, 5V Power Dissipation (Max): 440mW (Ta) Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA Supplier Device Package: SOT-323 Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.8V, 5V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 0.4 nC @ 4.5 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 28.5 pF @ 30 V Grade: Automotive Qualification: AEC-Q101 |
на замовлення 11207317 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
DMN61D9UWQ-13 | Виробник : Diodes Incorporated |
![]() |
на замовлення 40828 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
|||||||||||||||||
DMN61D9UWQ-13 | Виробник : DIODES INCORPORATED |
![]() |
товар відсутній |