Продукція > DIODES INCORPORATED > DMN61D9UWQ-13
DMN61D9UWQ-13

DMN61D9UWQ-13 Diodes Incorporated

DMN61D9UWQ_Rev2-3_Aug2022.pdf Виробник: Diodes Incorporated
Description: MOSFET N-CH 60V 400MA SOT323
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SC-70, SOT-323
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 400mA (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2Ohm @ 50mA, 5V
Power Dissipation (Max): 440mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-323
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.8V, 5V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 0.4 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 28.5 pF @ 30 V
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 11200000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
10000+3.55 грн
30000+ 3.36 грн
50000+ 2.78 грн
Мінімальне замовлення: 10000
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис DMN61D9UWQ-13 Diodes Incorporated

Description: MOSFET N-CH 60V 400MA SOT323, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: SC-70, SOT-323, Mounting Type: Surface Mount, Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), FET Type: N-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 400mA (Ta), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2Ohm @ 50mA, 5V, Power Dissipation (Max): 440mW (Ta), Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA, Supplier Device Package: SOT-323, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.8V, 5V, Vgs (Max): ±20V, Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 0.4 nC @ 4.5 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 28.5 pF @ 30 V, Grade: Automotive, Qualification: AEC-Q101.

Інші пропозиції DMN61D9UWQ-13 за ціною від 3.02 грн до 26.98 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна без ПДВ
DMN61D9UWQ-13 DMN61D9UWQ-13 Виробник : Diodes Incorporated DMN61D9UWQ_Rev2-3_Aug2022.pdf Description: MOSFET N-CH 60V 400MA SOT323
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SC-70, SOT-323
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 400mA (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2Ohm @ 50mA, 5V
Power Dissipation (Max): 440mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-323
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.8V, 5V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 0.4 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 28.5 pF @ 30 V
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 11207317 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
13+23.57 грн
19+ 16.11 грн
100+ 8.13 грн
500+ 6.22 грн
1000+ 4.62 грн
2000+ 3.88 грн
5000+ 3.65 грн
Мінімальне замовлення: 13
DMN61D9UWQ-13 Виробник : Diodes Incorporated DIOD_S_A0004145053_1-2542512.pdf MOSFET MOSFET BVDSS: 41V-60V
на замовлення 40828 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
13+26.98 грн
17+ 19.64 грн
100+ 9.7 грн
500+ 6.47 грн
1000+ 4.29 грн
2500+ 3.87 грн
10000+ 3.02 грн
Мінімальне замовлення: 13
DMN61D9UWQ-13 Виробник : DIODES INCORPORATED DMN61D9UWQ_Rev2-3_Aug2022.pdf DMN61D9UWQ-13 SMD N channel transistors
товар відсутній