DMN6075SQ-7 Diodes Zetex
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 3000+ | 7.39 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис DMN6075SQ-7 Diodes Zetex
Description: DIODES INC. - DMN6075SQ-7 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 2 A, 0.069 ohm, SOT-23, Oberflächenmontage, tariffCode: 85412100, Transistormontage: Oberflächenmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 60V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 2A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: AEC-Q101, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 800mW, Bauform - Transistor: SOT-23, Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: TUK SGACK902S Keystone Coupler, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Kanaltyp: n-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.069ohm, SVHC: No SVHC (23-Jan-2024).
Інші пропозиції DMN6075SQ-7 за ціною від 6.11 грн до 36.46 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна без ПДВ | ||||||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
|
|
DMN6075SQ-7 | Виробник : Diodes Zetex |
 60V N-Channel Enhancement Mode MOSFET Automotive AEC-Q101 |
на замовлення 18000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
|
DMN6075SQ-7 | Виробник : Diodes Zetex |
60V N-Channel Enhancement Mode MOSFET Automotive AEC-Q101 |
на замовлення 18000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
 |
DMN6075SQ-7 | Виробник : DIODES INC. |
Description: DIODES INC. - DMN6075SQ-7 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 2 A, 0.069 ohm, SOT-23, Oberflächenmontage tariffCode: 85412100 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 60V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 2A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: AEC-Q101 usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V euEccn: NLR Verlustleistung: 800mW Bauform - Transistor: SOT-23 Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: TUK SGACK902S Keystone Coupler productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.069ohm SVHC: No SVHC (23-Jan-2024) |
на замовлення 1895 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
 |
DMN6075SQ-7 | Виробник : Diodes Incorporated |
Description: MOSFET BVDSS: 41V~60V SOT23 T&R Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2A (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 85mOhm @ 3.2A, 10V Power Dissipation (Max): 800mW (Ta) Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA Supplier Device Package: SOT-23-3 Grade: Automotive Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 12.3 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 606 pF @ 20 V Qualification: AEC-Q101 |
на замовлення 856 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
 |
DMN6075SQ-7 | Виробник : Diodes Incorporated |
MOSFET MOSFET BVDSS: 41V~60V SOT23 T&R 3K |
на замовлення 7616 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
|
DMN6075SQ-7 | Виробник : DIODES INC. |
Description: DIODES INC. - DMN6075SQ-7 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 2 A, 0.069 ohm, SOT-23, Oberflächenmontage tariffCode: 85412100 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 60V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 2A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: AEC-Q101 usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V euEccn: NLR Verlustleistung: 800mW Bauform - Transistor: SOT-23 Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: TUK SGACK902S Keystone Coupler productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.069ohm SVHC: No SVHC (23-Jan-2024) |
на замовлення 1895 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
| DMN6075SQ-7 | Виробник : Diodes Inc |
Trans MOSFET N-CH 60V 2.5A Automotive 3-Pin SOT-23 T/R |
на замовлення 3000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
|||||||||||||||||
|
|
DMN6075SQ-7 | Виробник : Diodes Zetex |
60V N-Channel Enhancement Mode MOSFET Automotive AEC-Q101 |
товару немає в наявності |
|||||||||||||||||
|
|
DMN6075SQ-7 | Виробник : Diodes Incorporated |
Description: MOSFET BVDSS: 41V~60V SOT23 T&R Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2A (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 85mOhm @ 3.2A, 10V Power Dissipation (Max): 800mW (Ta) Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA Supplier Device Package: SOT-23-3 Grade: Automotive Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 12.3 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 606 pF @ 20 V Qualification: AEC-Q101 |
товару немає в наявності |