DMN6075SQ-13 Diodes Incorporated
Виробник: Diodes IncorporatedDescription: MOSFET BVDSS: 41V~60V SOT23 T&R
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 85mOhm @ 3.2A, 10V
Power Dissipation (Max): 800mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-23-3
Grade: Automotive
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 12.3 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 606 pF @ 20 V
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 20000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 10000+ | 6.69 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис DMN6075SQ-13 Diodes Incorporated
Description: DIODES INC. - DMN6075SQ-13 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 2 A, 0.069 ohm, SOT-23, Oberflächenmontage, tariffCode: 85412100, Transistormontage: Oberflächenmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 60V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 2A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: AEC-Q101, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 800mW, Bauform - Transistor: SOT-23, Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: Multicomp Pro RJ45 Adapter, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Kanaltyp: n-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.069ohm.
Інші пропозиції DMN6075SQ-13 за ціною від 6.61 грн до 35.44 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна без ПДВ | ||||||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 |
DMN6075SQ-13 | Виробник : Diodes Zetex |
60V N-Channel Enhancement Mode MOSFET Automotive AEC-Q101 |
на замовлення 80000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
 |
DMN6075SQ-13 | Виробник : DIODES INC. |
Description: DIODES INC. - DMN6075SQ-13 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 2 A, 0.069 ohm, SOT-23, Oberflächenmontage tariffCode: 85412100 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 60V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 2A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: AEC-Q101 MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V euEccn: NLR Verlustleistung: 800mW Bauform - Transistor: SOT-23 Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: Multicomp Pro RJ45 Adapter productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.069ohm |
на замовлення 11909 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
|
DMN6075SQ-13 | Виробник : Diodes Incorporated |
Description: MOSFET BVDSS: 41V~60V SOT23 T&R Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2A (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 85mOhm @ 3.2A, 10V Power Dissipation (Max): 800mW (Ta) Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA Supplier Device Package: SOT-23-3 Grade: Automotive Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 12.3 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 606 pF @ 20 V Qualification: AEC-Q101 |
на замовлення 29872 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
|
DMN6075SQ-13 | Виробник : DIODES INC. |
Description: DIODES INC. - DMN6075SQ-13 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 2 A, 0.069 ohm, SOT-23, Oberflächenmontage tariffCode: 85412100 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 60V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 2A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: AEC-Q101 MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V euEccn: NLR Verlustleistung: 800mW Bauform - Transistor: SOT-23 Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: Multicomp Pro RJ45 Adapter productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.069ohm |
на замовлення 11909 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
 |
DMN6075SQ-13 | Виробник : Diodes Incorporated |
MOSFET MOSFET BVDSS: 41V~60V SOT23 T&R 10K |
на замовлення 2883 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
| DMN6075SQ-13 | Виробник : Diodes Inc |
MOSFET BVDSS: 41V60V SOT23 T&R 10K |
товару немає в наявності |
||||||||||||||||||
|
|
DMN6075SQ-13 | Виробник : Diodes Zetex |
60V N-Channel Enhancement Mode MOSFET Automotive AEC-Q101 |
товару немає в наявності |
|||||||||||||||||
| DMN6075SQ-13 | Виробник : DIODES INCORPORATED |
DMN6075SQ-13 SMD N channel transistors |
товару немає в наявності |